HBM占据更大份额
高带宽存储预计将在2027年占据DRAM制造商总晶圆产能的近30%，高于目前的约20%，因供应商将产线转向用于AI加速器的芯片。三星正在加速新增存储产能，因HBM和传统DRAM均维持紧张。SK海力士于9月28日表示，其HBM5存储已通过台积电CoWoS封装验证，而HBM4目前才刚被集成到英伟达的下一代平台中。
价格传导至更广泛经济
供应紧张正体现在贸易数据中。9月芯片占韩国出口的近一半，其中中国大陆和香港占这些出货量的52%。零部件供应商面临压力，因存储价格攀升，成品制造商要求从2026年第三季度起降价10%至20%，而中国竞争对手的报价低20%至30%。
摩根士丹利分析师将这一涨势归类为"芯片通胀"，认为它已成为宏观经济问题而非仅仅是技术话题。存储成本上升最终会传导至笔记本电脑、手机、服务器和汽车，这些产品的单位存储含量持续增长。
投资跟随短缺
中国长鑫存储计划投入349亿元人民币（约52亿美元）用于研发和额外的DRAM后端测试产能。三星已调整其DRAM路线图，将B1b晶圆对晶圆混合键合技术移至其首代亚10纳米DRAM的核心位置。美光推出了2.5亿美元的风险投资基金，同时2026财年资本支出超过250亿美元，SK海力士旗下Solidigm部门正在考虑赴美上市，据报道估值高达1,500亿美元。
分析师预计供应将维持紧张至2027年，而AI数据中心需求持续增长。风险在于新晶圆厂的大规模支出恰逢需求降温，重演存储行业熟知的周期。
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