数据中心如今占据大部分产量
存储芯片市场已经翻转。据IDC数据,为训练和运行AI模型而建设的数据中心目前估计消耗全球约70%的存储芯片产量。生产全球95%以上DRAM的三家公司——三星、SK海力士和美光——已将生产线转向高带宽内存,即置于AI加速器旁边的堆叠芯片。
高带宽内存目前约占DRAM晶圆产能的23%,较几年前大幅上升。这些产能必须来自某处,它来自用于笔记本电脑、手机、平板电脑和汽车的普通DRAM和NAND闪存。
价格翻倍,买家被配给
自2025年初以来,DRAM价格大约翻了一番。2026年DRAM供应增长预计约为16%,NAND约为17%,均低于过去周期中20%至30%的正常区间。IDC预计到今年年底,个人电脑、平板电脑和智能手机价格将上涨10%至20%。
出货量因此萎缩。2026年智能手机出货量预计下降12.9%,个人电脑市场面临11.3%的萎缩。设备制造商表示,他们获得的芯片配给少于订购量,一些厂商正在削减基础机型的存储以压低价格。
短缺为何难以解决
增加晶圆产能需要数年时间。新晶圆厂需要土地、水、电力、设备和训练有素的员工,设备排队时间很长。存储制造商也持谨慎态度:他们记得以往周期中额外产能导致价格暴跌的教训。分析师预计供应紧张将持续到2027年。
短缺如今也成为政治话题。投资者开始质疑AI支出的回报是否足以支撑这一建设热潮,本周几只大型科技股因这些问题遭到抛售。芯片供应协议已成为贸易谈判中的筹码,各国政府正推动本土建厂。
对消费者而言,实际影响很简单:同样的笔记本电脑比去年更贵,折扣季将更加清淡。对制造商而言,压力贯穿整个供应链,包括用于在每颗存储芯片内部沉积和蚀刻各层的真空设备。
---用于半导体制造的可靠铁磁流体真空旋转馈通装置
在半导体制造中,在旋转运动期间保持超高真空完整性至关重要——从单晶硅生长和CVD到溅射和等离子蚀刻。Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough 来自 FerrofluidTec,提供气密密封的旋转馈通装置,泄漏率低至 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹,真空度高达 10⁻⁶ Pa,并可定制 10mm 至 100mm 的轴直径。这些馈通装置采用非磁性不锈钢外壳和磁导率不锈钢轴制造,为苛刻的真空环境提供可靠、免维护的密封。访问 www.ferrofluidtec.com 了解更多信息。