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Corrida global de chips fragmenta-se em quatro estratégias; lacuna dos EUA em empacotamento avançado persiste após aposta de US$ 265 bilhões

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A corrida global de semicondutores fragmentou-se em quatro estratégias nacionais fundamentalmente diferentes, de acordo com uma nova análise da Semiconductor Engineering publicada esta semana. Cada grande player aposta em uma camada diferente de uma cadeia de suprimentos que nenhum país controla totalmente, expondo vulnerabilidades críticas mesmo nos planos mais ambiciosos de soberania de chips. Os Estados Unidos, apesar de terem comprometido US$ 265 bilhões por meio do CHIPS Act e investimentos relacionados, ainda não conseguem concluir chips avançados de IA em solo nacional. Todo acelerador fabricado na nova fábrica da TSMC em Phoenix, Arizona, deve ser enviado a Taiwan para empacotamento CoWoS (Chip on Wafer on Substrate) — o processo de empacotamento 2.5D do qual todo acelerador de IA depende. A TSMC confirmou que a capacidade dedicada de empacotamento avançado nos EUA só estará disponível a partir de 2028. As quatro estratégias se dividem claramente: os EUA focam em fabricação de lógica de ponta e design; a China busca autossuficiência por meio de fundições domésticas; a Europa investe em chips automotivos e industriais; e o Japão visa domínio em materiais e equipamentos. Cada abordagem tem uma lacuna, mas o buraco do empacotamento americano é o mais imediatamente consequente. "Se você não consegue empacotar um chip, não pode enviá-lo", disse um analista do setor. "Os EUA têm talento em design e as fábricas estão chegando, mas a última milha — empacotamento avançado — permanece em Taiwan." O gargalo é sentido agudamente por empresas de IA como Nvidia e AMD, que competem por capacidade limitada de CoWoS. A Sematech e o Departamento de Comércio dos EUA estão explorando soluções alternativas de empacotamento, mas nenhuma deve atingir escala de produção antes de 2028. --- Rosco de vácuo rotativo confiável com ferrofluido para fabricação de semicondutores Na fabricação de semicondutores, manter a integridade de vácuo ultra-alto durante o movimento rotativo é crítico — desde crescimento de cristal de silício único e CVD até sputtering e gravação por plasma. O Rosco de Vácuo Rotativo com Ferrofluido da FerrofluidTec oferece rosco rotativo hermeticamente selado com taxas de vazamento tão baixas quanto 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, grau de vácuo de até 10⁻⁶ Pa e diâmetros de eixo personalizáveis de 10 mm a 100 mm. Construído com carcaças de aço inoxidável não magnético e eixos de aço inoxidável com permeabilidade magnética, esses roscos fornecem vedação confiável e livre de manutenção para ambientes de vácuo exigentes. Visite www.ferrofluidtec.com para saber mais.