Perché il die di base conta
La prossima memoria ad alta larghezza di banda di Nvidia, chiamata NVHBM, sposta il controller di memoria dalla GPU al die di base. Questo libera spazio sul processore per più circuiti di calcolo. Il livello fisico che comunica con gli altri chip è circa il 60 per cento più piccolo rispetto all'HBM standard. Secondo il Seoul Economic Daily, il design offre fino al 30 per cento di larghezza di banda in più e il 15 per cento di consumo in meno rispetto all'HBM4E.
Nvidia ha chiesto a Samsung, SK Hynix e Micron di costruire i die di base sul processo a 3 nanometri di TSMC usando DRAM di sesta generazione per i die di memoria centrale. Questo divide una parte che Samsung ha a lungo costruito internamente.
Un divario di resa ha forzato la mano
Samsung realizzerà i die di base sulla linea a 3nm di TSMC anziché sulla propria. Le stime del settore collocano la resa a 3nm di TSMC sopra il 90 per cento, contro circa il 60 per cento del processo concorrente a 2nm di Samsung. Il divario ha reso un die di base interno un rischio per una parte che Nvidia vuole in volumi.
L'accordo sarebbe la prima volta che Samsung e TSMC collaborano sull'HBM. Le due sono rivali diretti nel lavoro di fonderia avanzata. Samsung intende mantenere il proprio modello produttivo per l'HBM standard e per i prodotti personalizzati venduti ad altri clienti. Sta anche valutando se la propria fonderia potrebbe produrre i die di base NVHBM se la domanda superasse la capacità di TSMC.
L'offerta di memoria resta tesa
TSMC sta aggiungendo due linee a 3nm alla Fab 18 di Tainan, con produzione di massa prevista nella prima metà del 2027 e del 2028. Prevede anche linee a 3nm nel suo secondo impianto in Arizona e a Kumamoto in Giappone.
La memoria resta il collo di bottiglia. UBS prevede un deficit globale del 10 per cento nell'offerta di HBM il prossimo anno. La cinese CXMT prevede che i ricavi del terzo trimestre crescano fino al 619 per cento mentre amplia la propria roadmap DRAM. Anche Samsung e SK Hynix stanno blindando gli ingegneri; i cambi di lavoro tra i lavoratori coreani dei chip sono scesi a un minimo record.
Per i produttori di attrezzature, il cambiamento significa più capacità logica a 3nm dedicata alla memoria anziché ai processori, e più fasi di processo sotto vuoto per ogni stack. Ogni fase aggiuntiva di deposizione, incisione o sputtering aumenta la domanda di tenute rotanti e passanti che mantengono il vuoto mentre un albero ruota.
---Passaggio rotante sottovuoto a ferrofluido affidabile per la produzione di semiconduttori
Nella produzione di semiconduttori, mantenere l'integrità dell'ultra-alto vuoto durante il movimento rotatorio è critico — dalla crescita di monocristalli di silicio e CVD allo sputtering e all'incisione al plasma. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough di FerrofluidTec offre passaggi rotanti ermeticamente sigillati con tassi di perdita fino a 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, grado di vuoto fino a 10⁻⁶ Pa e diametri dell'albero personalizzabili da 10mm a 100mm. Costruiti con alloggiamenti in acciaio inossidabile non magnetico e alberi in acciaio inossidabile a permeabilità magnetica, questi passaggi forniscono una tenuta affidabile e senza manutenzione per ambienti a vuoto impegnativi. Visitate www.ferrofluidtec.com per saperne di più.