Pourquoi la puce de base compte
La prochaine mémoire à large bande passante de Nvidia, appelée NVHBM, déplace le contrôleur mémoire du GPU vers la puce de base. Cela libère de l'espace sur le processeur pour davantage de circuits de calcul. La couche physique qui communique avec les autres puces est environ 60 % plus petite que dans la HBM standard. Selon le Seoul Economic Daily, la conception offre jusqu'à 30 % de bande passante en plus et 15 % de consommation en moins que la HBM4E.
Nvidia a demandé à Samsung, SK Hynix et Micron de fabriquer les puces de base sur le procédé 3 nanomètres de TSMC tout en utilisant de la DRAM de sixième génération pour les puces de cœur mémoire. Cela divise un composant que Samsung a longtemps fabriqué en interne.
Un écart de rendement a forcé la main
Samsung fabriquera les puces de base sur la ligne 3 nm de TSMC plutôt que sur la sienne. Les estimations du secteur situent le rendement du 3 nm de TSMC au-dessus de 90 %, contre environ 60 % pour le procédé 2 nm concurrent de Samsung. Cet écart rendait une puce de base interne risquée pour un composant que Nvidia veut en volume.
Cet arrangement serait la première fois que Samsung et TSMC travaillent ensemble sur la HBM. Les deux sont des rivaux directs dans la fonderie avancée. Samsung prévoit de conserver son propre modèle de production pour la HBM standard et pour les produits personnalisés vendus à d'autres clients. Il examine aussi si sa fonderie pourrait fabriquer les puces de base NVHBM si la demande dépasse la capacité de TSMC.
L'offre de mémoire reste tendue
TSMC ajoute deux lignes 3 nm à son usine Fab 18 à Tainan, avec une production de masse prévue au premier semestre 2027 et en 2028. Il prévoit aussi des lignes 3 nm dans sa deuxième usine en Arizona et à Kumamoto au Japon.
La mémoire reste le goulot d'étranglement. UBS prévoit une pénurie mondiale de 10 % de l'offre de HBM l'an prochain. Le chinois CXMT s'attend à une hausse de son chiffre d'affaires du troisième trimestre pouvant atteindre 619 % à mesure qu'il élargit sa feuille de route DRAM. Samsung et SK Hynix verrouillent aussi leurs ingénieurs ; les changements d'emploi parmi les travailleurs coréens des puces sont tombés à un niveau record.
Pour les fabricants d'équipements, ce changement signifie plus de capacité logique 3 nm dédiée à la mémoire plutôt qu'aux processeurs, et plus d'étapes de procédé sous vide par empilement. Chaque étape supplémentaire de dépôt, de gravure ou de pulvérisation ajoute une demande de joints rotatifs et de traversées qui maintiennent le vide pendant qu'un arbre tourne.
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