Por qué importa la oblea base
La próxima memoria de alto ancho de banda de Nvidia, llamada NVHBM, traslada el controlador de memoria de la GPU a la oblea base. Eso libera espacio en el procesador para más circuitos de computación. La capa física que se comunica con otros chips es aproximadamente un 60 por ciento más pequeña que en la HBM estándar. Según el Seoul Economic Daily, el diseño ofrece hasta un 30 por ciento más de ancho de banda y un 15 por ciento menos de consumo que la HBM4E.
Nvidia ha pedido a Samsung, SK Hynix y Micron que fabriquen obleas base con el proceso de 3 nanómetros de TSMC mientras usan DRAM de sexta generación para las obleas centrales de memoria. Eso divide una pieza que Samsung ha fabricado durante mucho tiempo en casa.
Una brecha de rendimiento forzó la decisión
Samsung fabricará las obleas base en la línea de 3 nm de TSMC en lugar de la suya. Las estimaciones del sector sitúan el rendimiento de 3 nm de TSMC por encima del 90 por ciento, frente a aproximadamente el 60 por ciento del proceso de 2 nm competidor de Samsung. La brecha hacía que una oblea base interna fuera un riesgo para una pieza que Nvidia quiere en volumen.
El acuerdo sería la primera vez que Samsung y TSMC trabajan juntas en HBM. Las dos son rivales directos en el trabajo de fundición avanzada. Samsung planea mantener su propio modelo de producción para la HBM estándar y para productos personalizados vendidos a otros clientes. También está evaluando si su fundición podría fabricar obleas base NVHBM si la demanda supera la capacidad de TSMC.
La oferta de memoria sigue ajustada
TSMC está añadiendo dos líneas de 3 nm en la Fab 18 en Tainan, con producción en masa prevista para el primer semestre de 2027 y de 2028. También planea líneas de 3 nm en su segunda planta de Arizona y en Kumamoto, Japón.
La memoria sigue siendo el cuello de botella. UBS proyecta un déficit global del 10 por ciento en el suministro de HBM el próximo año. La china CXMT espera que sus ingresos del tercer trimestre suban hasta un 619 por ciento mientras amplía su hoja de ruta de DRAM. Samsung y SK Hynix también están asegurando ingenieros; el cambio de empleo entre trabajadores de chips coreanos ha caído a un mínimo récord.
Para los fabricantes de equipos, el cambio significa más capacidad lógica de 3 nm dedicada a memoria en lugar de procesadores, y más pasos de proceso al vacío por pila. Cada paso adicional de deposición, grabado o pulverización catódica añade demanda de sellos rotativos y pasamuros que mantienen el vacío mientras gira un eje.
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