基础裸片为何重要
英伟达的下一代高带宽内存名为NVHBM，它将内存控制器从GPU转移到基础裸片上。这为处理器腾出空间以容纳更多计算电路。与其他芯片通信的物理层比标准HBM小约60%。据《首尔经济日报》报道，该设计比HBM4E提供高达30%的带宽提升和15%的功耗降低。
英伟达已要求三星、SK海力士和美光采用台积电3纳米工艺制造基础裸片，同时使用第六代DRAM作为内存核心裸片。这使三星长期自行生产的一个部件被拆分出去。
良率差距迫使其做出选择
三星将在台积电3纳米生产线上制造基础裸片，而非自家产线。业界估计台积电3纳米良率超过90%，而三星与之竞争的2纳米工艺良率约为60%。这一差距使得自行生产基础裸片对英伟达希望大批量供应的部件构成风险。
这一安排将是三星与台积电首次在HBM领域合作。两家公司在先进代工领域是直接竞争对手。三星计划对标准HBM以及销售给其他客户的定制产品保留自有生产模式。它还在评估如果需求超出台积电产能，其代工厂能否制造NVHBM基础裸片。
内存供应依然紧张
台积电正在台南Fab 18新增两条3纳米生产线，预计分别于2027年上半年和2028年上半年量产。它还计划在其亚利桑那州第二座工厂和日本熊本工厂建设3纳米生产线。
内存仍是瓶颈。瑞银预计明年全球HBM供应将短缺10%。中国的长鑫存储预计第三季度营收将增长高达619%，因其扩展DRAM路线图。三星和SK海力士也在锁定工程师；韩国芯片行业员工的跳槽率已降至历史最低。
对设备制造商而言，这一转变意味着更多3纳米逻辑产能将用于内存而非处理器，且每个堆叠需要更多真空工艺步骤。每增加一道沉积、刻蚀或溅射步骤，都会增加对在轴旋转时保持真空的旋转密封件和馈通件的需求。
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