三星将其最先进内存产线产量翻倍
据《首尔经济日报》报道，三星电子已制定计划，明年将HBM4和HBM4E内存产量翻倍。HBM4是专为AI数据中心中英伟达级加速器配套而设计的堆叠式高带宽内存世代。将产量翻倍将是本十年内存行业最大的单笔产能承诺之一，表明三星预计AI基础设施支出将持续增长至2027年。
瓶颈已从逻辑芯片转向内存
在AI建设的大部分时间里，制约因素是先进逻辑制造和封装。这种情况已经改变。HBM3E的近期供应已经售罄，制造商已将晶圆产能从大宗DRAM和NAND转向服务AI客户。DRAM价格同比上涨约171%，DDR5现货价格自2025年底以来大约翻了两番。据CSIS分析，到2027年，单颗下一代英伟达处理器可能搭载多达384GB的HBM，这一数字将吸收一家供应商一个季度产量的很大一部分。
成本波及普通硬件买家
短缺正在蔓延到数据中心之外。包括戴尔、联想、苹果和微软在内的PC制造商已将涨价与内存成本挂钩，戴尔预计部分个人电脑将出现两位数的价格上涨。在设备方面，ASML报告最近一个季度净订单额为54亿欧元，受AI需求推动，同时预警2026年中国订单可能下降。SK海力士股价在首尔交易接近历史高位。明年的问题是：新产能能否在内存价格开始侵蚀AI系统建设和运营的经济性之前到位，还是短缺只会限制整个行业能部署多少加速器。
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