Vì sao die nền quan trọng
Bộ nhớ băng thông cao tiếp theo của Nvidia, gọi là NVHBM, chuyển bộ điều khiển bộ nhớ khỏi GPU sang die nền. Điều đó giải phóng không gian trên bộ xử lý cho nhiều mạch tính toán hơn. Lớp vật lý giao tiếp với các chip khác nhỏ hơn khoảng 60% so với HBM tiêu chuẩn. Theo Seoul Economic Daily, thiết kế này mang lại băng thông cao hơn tới 30% và tiêu thụ ít điện năng hơn 15% so với HBM4E.
Nvidia đã yêu cầu Samsung, SK Hynix và Micron sản xuất die nền trên quy trình 3 nanomet của TSMC trong khi sử dụng DRAM thế hệ thứ sáu cho các die lõi bộ nhớ. Điều này chia tách một linh kiện mà Samsung từ lâu đã tự sản xuất.
Khoảng cách năng suất buộc phải thay đổi
Samsung sẽ sản xuất die nền trên dây chuyền 3nm của TSMC thay vì của chính mình. Ước tính của ngành cho thấy năng suất 3nm của TSMC trên 90%, so với khoảng 60% đối với quy trình 2nm cạnh tranh của Samsung. Khoảng cách này khiến việc tự sản xuất die nền trở thành rủi ro đối với một linh kiện mà Nvidia muốn có số lượng lớn.
Thỏa thuận này sẽ là lần đầu tiên Samsung và TSMC hợp tác trên HBM. Hai bên là đối thủ trực tiếp trong lĩnh vực xưởng đúc tiên tiến. Samsung dự định giữ mô hình sản xuất riêng cho HBM tiêu chuẩn và cho các sản phẩm tùy chỉnh bán cho khách hàng khác. Hãng cũng đang xem xét liệu xưởng đúc của mình có thể sản xuất die nền NVHBM nếu nhu cầu vượt quá năng lực của TSMC hay không.
Nguồn cung bộ nhớ vẫn eo hẹp
TSMC đang bổ sung hai dây chuyền 3nm tại Fab 18 ở Đài Nam, với sản xuất hàng loạt dự kiến vào nửa đầu năm 2027 và 2028. Hãng cũng dự định có dây chuyền 3nm tại nhà máy thứ hai ở Arizona và tại Kumamoto, Nhật Bản.
Bộ nhớ vẫn là điểm nghẽn. UBS dự báo thiếu hụt nguồn cung HBM toàn cầu 10% vào năm tới. CXMT của Trung Quốc dự kiến doanh thu quý ba tăng tới 619% khi mở rộng lộ trình DRAM. Samsung và SK Hynix cũng đang giữ chân kỹ sư; tỷ lệ chuyển việc của công nhân chip Hàn Quốc đã giảm xuống mức thấp kỷ lục.
Đối với các nhà sản xuất thiết bị, sự thay đổi này đồng nghĩa với nhiều năng lực logic 3nm dành cho bộ nhớ hơn là bộ xử lý, và nhiều bước quy trình chân không hơn cho mỗi chồng chip. Mỗi bước lắng đọng, khắc hoặc phún xạ thêm đều làm tăng nhu cầu về phớt quay và đầu xuyên giữ chân không trong khi trục quay.
---Khớp nối quay chân không ferrofluid đáng tin cậy cho sản xuất chất bán dẫn
Trong sản xuất chất bán dẫn, việc duy trì tính toàn vẹn của chân không siêu cao trong quá trình chuyển động quay là rất quan trọng — từ nuôi cấy đơn tinh thể silicon và CVD đến phún xạ và khắc plasma. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough từ FerrofluidTec cung cấp các khớp nối quay được niêm phong kín với tốc độ rò rỉ thấp đến 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, độ chân không lên đến 10⁻⁶ Pa và đường kính trục có thể tùy chỉnh từ 10mm đến 100mm. Được chế tạo với vỏ thép không gỉ không từ tính và trục thép không gỉ có độ từ thẩm, các khớp nối này cung cấp khả năng niêm phong đáng tin cậy, không cần bảo trì cho môi trường chân không khắt khe. Truy cập www.ferrofluidtec.com để tìm hiểu thêm.