Samsung tăng gấp đôi dây chuyền bộ nhớ tiên tiến nhất
Samsung Electronics đã vạch ra kế hoạch tăng gấp đôi sản lượng bộ nhớ HBM4 và HBM4E vào năm tới, theo Seoul Economic Daily. HBM4 là thế hệ bộ nhớ băng thông cao xếp chồng được thiết kế để đặt bên cạnh các bộ tăng tốc cấp Nvidia trong các trung tâm dữ liệu AI. Tăng gấp đôi sản lượng đó sẽ là một trong những cam kết công suất đơn lẻ lớn nhất trong ngành công nghiệp bộ nhớ trong thập kỷ này, và nó cho thấy Samsung kỳ vọng chi tiêu cho cơ sở hạ tầng AI sẽ tiếp tục tăng đến năm 2027.
Nút thắt đã chuyển từ logic sang bộ nhớ
Trong phần lớn quá trình xây dựng AI, hạn chế nằm ở sản xuất logic tiên tiến và đóng gói. Điều đó đã thay đổi. Nguồn cung HBM3E ngắn hạn đã bán hết, và các nhà sản xuất đã chuyển công suất wafer khỏi DRAM và NAND phổ thông để phục vụ khách hàng AI. Giá DRAM đã tăng khoảng 171 phần trăm so với cùng kỳ năm ngoái và giá giao ngay DDR5 đã tăng gần gấp bốn lần kể từ cuối năm 2025. Đến năm 2027, một bộ xử lý Nvidia thế hệ tiếp theo có thể mang tới 384GB HBM, theo phân tích của CSIS, một con số sẽ hấp thụ một phần lớn sản lượng hàng quý của một nhà cung cấp.
Chi phí lan đến người mua phần cứng thông thường
Tình trạng thiếu hụt đang lan ra ngoài các trung tâm dữ liệu. Các nhà sản xuất PC bao gồm Dell, Lenovo, Apple và Microsoft đã gắn việc tăng giá với chi phí bộ nhớ, trong đó Dell dự kiến giá một số máy tính cá nhân sẽ tăng hai chữ số. Về phía thiết bị, ASML báo cáo đơn hàng ròng 5,4 tỷ euro trong một quý gần đây, được thúc đẩy bởi nhu cầu AI, đồng thời cảnh báo khả năng giảm đơn hàng từ Trung Quốc trong năm 2026. Cổ phiếu SK hynix đã giao dịch gần mức kỷ lục tại Seoul. Câu hỏi cho năm tới là liệu công suất mới có đến trước khi giá bộ nhớ bắt đầu ăn vào hiệu quả kinh tế của việc xây dựng và vận hành hệ thống AI, hay liệu tình trạng thiếu hụt chỉ đơn thuần giới hạn số lượng bộ tăng tốc mà ngành có thể triển khai.
---
Khớp nối quay chân không ferrofluid đáng tin cậy cho sản xuất chất bán dẫn
Trong sản xuất chất bán dẫn, việc duy trì tính toàn vẹn của chân không siêu cao trong quá trình chuyển động quay là rất quan trọng — từ nuôi cấy đơn tinh thể silicon và CVD đến phún xạ và khắc plasma. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough từ FerrofluidTec cung cấp các khớp nối quay được niêm phong kín với tốc độ rò rỉ thấp đến 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, độ chân không lên đến 10⁻⁶ Pa và đường kính trục có thể tùy chỉnh từ 10mm đến 100mm. Được chế tạo với vỏ thép không gỉ không từ tính và trục thép không gỉ có độ từ thẩm, các khớp nối này cung cấp khả năng niêm phong đáng tin cậy, không cần bảo trì cho môi trường chân không khắt khe. Truy cập www.ferrofluidtec.com để tìm hiểu thêm.