HBM chiếm tỷ trọng lớn hơn
Bộ nhớ băng thông cao dự kiến sẽ chiếm gần 30% tổng năng lực wafer của các nhà sản xuất DRAM vào năm 2027, tăng từ khoảng 20% hiện nay, khi các nhà cung cấp chuyển dây chuyền sang chip dùng trong bộ tăng tốc AI. Samsung đang đẩy nhanh năng lực bộ nhớ mới khi cả HBM và DRAM thông thường vẫn khan hiếm. SK Hynix cho biết vào ngày 28 tháng 9 rằng họ đã xác nhận bộ nhớ HBM5 của mình với gói CoWoS của TSMC, ngay cả khi HBM4 chỉ mới đang được tích hợp vào nền tảng tiếp theo của Nvidia.
Giá cả lan sang nền kinh tế rộng lớn hơn
Sự thắt chặt đang thể hiện trong dữ liệu thương mại. Chip chiếm gần một nửa kim ngạch xuất khẩu của Hàn Quốc trong tháng 9, và Trung Quốc cùng Hồng Kông chiếm 52% trong số các lô hàng đó. Các nhà cung cấp linh kiện đang chịu áp lực khi giá bộ nhớ leo thang, với các nhà sản xuất thành phẩm yêu cầu giảm giá 10% đến 20% từ quý ba năm 2026 trong khi các đối thủ Trung Quốc chào giá thấp hơn 20% đến 30%.
Các nhà phân tích của Morgan Stanley đã gom sự gia tăng này dưới nhãn "chipflation", lập luận rằng nó đã trở thành mối lo kinh tế vĩ mô chứ không chỉ là câu chuyện công nghệ. Chi phí bộ nhớ cao hơn cuối cùng sẽ đến với laptop, điện thoại, máy chủ và ô tô, nơi hàm lượng bộ nhớ trên mỗi đơn vị không ngừng tăng.
Đầu tư đi theo sự thiếu hụt
ChangXin Memory Technologies của Trung Quốc dự định chi 34,9 tỷ nhân dân tệ, khoảng 5,2 tỷ USD, cho nghiên cứu và thêm năng lực kiểm thử DRAM hậu kỳ. Samsung đã sắp xếp lại lộ trình DRAM của mình, chuyển công nghệ liên kết lai wafer-tới-wafer B1b thành trung tâm của thế hệ DRAM dưới 10nm đầu tiên. Micron ra mắt quỹ đầu tư mạo hiểm trị giá 250 triệu USD cùng với hơn 25 tỷ USD chi tiêu vốn trong tài khóa 2026, và đơn vị Solidigm của SK Hynix đang cân nhắc niêm yết tại Mỹ với giá trị được báo cáo lên tới 150 tỷ USD.
Các nhà phân tích kỳ vọng nguồn cung sẽ vẫn thắt chặt đến năm 2027 trong khi nhu cầu trung tâm dữ liệu AI tăng trưởng. Rủi ro là việc chi tiêu mạnh cho các nhà máy mới lại đến đúng lúc nhu cầu hạ nhiệt, lặp lại một chu kỳ mà ngành bộ nhớ đã quá quen thuộc.
---Khớp nối quay chân không ferrofluid đáng tin cậy cho sản xuất chất bán dẫn
Trong sản xuất chất bán dẫn, việc duy trì tính toàn vẹn của chân không siêu cao trong quá trình chuyển động quay là rất quan trọng — từ nuôi cấy đơn tinh thể silicon và CVD đến phún xạ và khắc plasma. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough từ FerrofluidTec cung cấp các khớp nối quay được niêm phong kín với tốc độ rò rỉ thấp đến 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, độ chân không lên đến 10⁻⁶ Pa và đường kính trục có thể tùy chỉnh từ 10mm đến 100mm. Được chế tạo với vỏ thép không gỉ không từ tính và trục thép không gỉ có độ từ thẩm, các khớp nối này cung cấp khả năng niêm phong đáng tin cậy, không cần bảo trì cho môi trường chân không khắt khe. Truy cập www.ferrofluidtec.com để tìm hiểu thêm.