Giá hợp đồng vẫn đang tăng
Phần dốc nhất của đợt tăng giá bộ nhớ có thể đã qua, nhưng đà leo thang vẫn tiếp diễn. Trong khảo sát giá mới nhất, TrendForce dự báo giá hợp đồng DRAM thông thường sẽ tăng 13% đến 18% so với quý trước trong quý thứ ba năm 2026, với hợp đồng NAND Flash tăng 10% đến 15%. Đó là sự chậm lại so với đầu năm, không phải đảo chiều. Trên thị trường giao ngay, chip DDR4 phổ thông nhích từ 45,79 USD lên 46,04 USD trong khoảng từ ngày 16 đến 22 tháng 9, trong khi giao dịch DDR5 vẫn thận trọng.
Bộ nhớ máy chủ đang hành xử khác với mọi thứ khác. Các thỏa thuận cung ứng dài hạn giữa những người mua lớn và các nhà sản xuất bộ nhớ đang âm thầm giới hạn giá đối với DRAM máy chủ khối lượng lớn, đó là lý do những mức tăng ồn ào nhất hiện đang xuất hiện ở các linh kiện tiêu dùng thay vì trong các hợp đồng trung tâm dữ liệu.
Ai phải trả: máy tính xách tay và điện thoại
Các nhà sản xuất máy tính xách tay vẫn đang bổ sung hàng tồn kho, nhưng chi phí bộ nhớ cao hơn đang đẩy vào giá bán lẻ, một xu hướng mà TrendForce dự kiến sẽ đè nặng lên lượng xuất xưởng PC trong phần còn lại của năm. Các nhà sản xuất điện thoại thông minh đối mặt với cùng áp lực ở vị trí tồi tệ hơn, vì bộ nhớ chiếm tỷ trọng lớn hơn trong chi phí phần cứng của một chiếc điện thoại giá rẻ. Nhiều hãng đang tăng giá và trở nên thận trọng hơn với kế hoạch sản xuất.
Dự báo từ tháng 2 của Gartner đã đưa ra những con số cụ thể về thiệt hại: giá DRAM và ổ đĩa thể rắn cộng lại tăng vọt 130% vào cuối năm 2026, chuyển thành giá PC cao hơn 17% và giá điện thoại thông minh cao hơn 13% so với năm 2025, với lượng xuất xưởng PC toàn cầu giảm 10,4% và điện thoại thông minh giảm 8,4%. Người mua phổ thông dự kiến sẽ rời thị trường nhanh gấp năm lần so với người mua cao cấp.
Năng lực sản xuất đi đâu
Nguyên nhân không phải là thiếu nhà máy mà là sự thay đổi về những gì chúng sản xuất. Các bộ tăng tốc AI cần bộ nhớ băng thông cao, và đó là nơi các tấm wafer và vốn được hướng tới. Samsung đã bắt đầu xuất xưởng các chồng HBM4E 8 lớp cho Nvidia, tỷ lệ đạt chuẩn HBM4 đã leo lên gần 80% trước nền tảng Rubin của Nvidia, và SK hynix dự định tăng gấp đôi năng lực wafer trong vòng năm năm với chi tiêu vốn năm 2026 trên 30 nghìn tỷ won. Các nhà phân tích liên kết với ngân hàng trung ương Hàn Quốc đã kết luận trong tháng này rằng lợi thế của nước này so với Trung Quốc trong sản xuất bộ nhớ có khả năng sẽ mở rộng. Người mua bộ nhớ tiêu dùng đơn giản chỉ ở cuối hàng đợi đó.
---
Khớp nối quay chân không ferrofluid đáng tin cậy cho sản xuất chất bán dẫn
Trong sản xuất chất bán dẫn, việc duy trì tính toàn vẹn của chân không siêu cao trong quá trình chuyển động quay là rất quan trọng — từ nuôi cấy đơn tinh thể silicon và CVD đến phún xạ và khắc plasma. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough từ FerrofluidTec cung cấp các khớp nối quay được niêm phong kín với tốc độ rò rỉ thấp đến 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, độ chân không lên đến 10⁻⁶ Pa và đường kính trục có thể tùy chỉnh từ 10mm đến 100mm. Được chế tạo với vỏ thép không gỉ không từ tính và trục thép không gỉ có độ từ thẩm, các khớp nối này cung cấp khả năng niêm phong đáng tin cậy, không cần bảo trì cho môi trường chân không khắt khe. Truy cập www.ferrofluidtec.com để tìm hiểu thêm.