Temel kalıp neden önemli
Nvidia'nın NVHBM adlı yeni yüksek bant genişlikli belleği, bellek denetleyicisini GPU'dan temel kalıba taşıyor. Bu, işlemcide daha fazla hesaplama devresi için alan açıyor. Diğer çiplerle haberleşen fiziksel katman, standart HBM'ye göre yaklaşık %60 daha küçük. Seoul Economic Daily'ye göre tasarım, HBM4E'ye kıyasla %30'a kadar daha fazla bant genişliği ve %15 daha az güç sağlıyor.
Nvidia, Samsung, SK Hynix ve Micron'dan temel kalıpları TSMC'nin 3 nanometre sürecinde üretmelerini, bellek çekirdek kalıpları için ise altıncı nesil DRAM kullanmalarını istedi. Bu, Samsung'un uzun süredir kendi bünyesinde ürettiği bir parçayı bölüyor.
Verim farkı eli zorunlu kıldı
Samsung temel kalıpları kendi hattı yerine TSMC'nin 3nm hattında üretecek. Sektör tahminleri TSMC'nin 3nm verimini %90'ın üzerinde, Samsung'un rakip 2nm sürecininkini ise yaklaşık %60 olarak gösteriyor. Bu fark, Nvidia'nın hacimli olarak istediği bir parça için kendi bünyesinde üretimi riskli hale getirdi.
Bu düzenleme, Samsung ile TSMC'nin HBM konusunda ilk kez birlikte çalışması olacak. İkisi ileri döküm işlerinde doğrudan rakip. Samsung, standart HBM ve diğer müşterilere satılan özel ürünler için kendi üretim modelini sürdürmeyi planlıyor. Ayrıca talep TSMC'nin kapasitesini aşarsa dökümhanesinin NVHBM temel kalıplarını üretip üretemeyeceğini de değerlendiriyor.
Bellek arzı sıkı kalıyor
TSMC, Tainan'daki Fab 18'de iki 3nm hattı ekliyor; seri üretimin 2027'nin ilk yarısında ve 2028'de başlaması bekleniyor. Ayrıca Arizona'daki ikinci fabrikasında ve Japonya'nın Kumamoto kentinde 3nm hatlar planlıyor.
Bellek darboğaz olmayı sürdürüyor. UBS gelecek yıl küresel HBM arzında %10'luk bir açık öngörüyor. Çin'in CXMT'si DRAM yol haritasını genişletirken üçüncü çeyrek gelirinin %619'a kadar artmasını bekliyor. Samsung ve SK Hynix de mühendisleri bağlıyor; Koreli çip çalışanları arasında iş değiştirme rekor düşük seviyeye indi.
Ekipman üreticileri için bu değişim, işlemciler yerine belleğe ayrılan daha fazla 3nm mantık kapasitesi ve yığın başına daha fazla vakum süreci adımı anlamına geliyor. Her ek biriktirme, aşındırma veya püskürtme adımı, bir mil dönerken vakumu koruyan döner contalara ve geçişlere olan talebi artırıyor.
---Yarı iletken üretimi için güvenilir Ferrofluid Vakum Döner Geçiş
Yarı iletken üretiminde, döner hareket sırasında ultra yüksek vakum bütünlüğünü korumak kritiktir — tek silikon kristal büyümesi ve CVD'den sputtering ve plazma dağlamaya kadar. FerrofluidTec'ten Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough, 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹ kadar düşük sızıntı oranları, 10⁻⁶ Pa'ya kadar vakum derecesi ve 10mm'den 100mm'ye kadar özelleştirilebilir mil çapları ile hermetik olarak sızdırmaz döner geçişler sunar. Manyetik olmayan paslanmaz çelik muhafazalar ve manyetik geçirgenlik paslanmaz çelik miller ile üretilen bu geçişler, zorlu vakum ortamları için güvenilir, bakım gerektirmeyen sızdırmazlık sağlar. Daha fazla bilgi için www.ferrofluidtec.com adresini ziyaret edin.