Samsung en gelişmiş bellek hattını ikiye katlıyor
Seoul Economic Daily'ye göre Samsung Electronics, gelecek yıl HBM4 ve HBM4E bellek üretimini ikiye katlamayı planlıyor. HBM4, yapay zeka veri merkezlerinde Nvidia sınıfı hızlandırıcıların yanında yer almak üzere tasarlanan yığınlı yüksek bant genişlikli bellek nesli. Bu üretimin ikiye katlanması, bellek endüstrisinin bu on yılda yaptığı en büyük tek kapasite taahhütlerinden biri olur ve Samsung'un yapay zeka altyapı harcamalarının 2027 boyunca artmaya devam etmesini beklediğini gösteriyor.
Darboğaz mantıktan belleğe kaydı
Yapay zeka inşasının büyük bölümünde kısıt, ileri mantık üretimi ve paketleme idi. Bu değişti. HBM3E'nin kısa vadeli arzı tükendi ve üreticiler, yapay zeka müşterilerine hizmet vermek için gofret kapasitesini emtia DRAM ve NAND'dan kaydırdı. DRAM fiyatları yıllık bazda yaklaşık yüzde 171 arttı ve DDR5 spot fiyatları 2025'in sonundan bu yana kabaca dört katına çıktı. CSIS analizine göre 2027'ye kadar tek bir yeni nesil Nvidia işlemcisi 384 GB'a kadar HBM taşıyabilir; bu rakam bir tedarikçinin üç aylık üretiminin büyük bir kısmını emer.
Maliyetler sıradan donanım alıcılarına ulaşıyor
Kıtlık veri merkezlerinin ötesine yayılıyor. Dell, Lenovo, Apple ve Microsoft dahil PC üreticileri fiyat artışlarını bellek maliyetlerine bağladı; Dell bazı kişisel bilgisayarlar için çift haneli fiyat artışları bekliyor. Ekipman tarafında ASML, yapay zeka talebiyle desteklenen son çeyrekte 5,4 milyar euro net sipariş bildirirken 2026 için Çin siparişlerinde olası bir düşüşe işaret etti. SK hynix hisseleri Seul'de rekor seviyelere yakın işlem gördü. Gelecek yıl için soru, yeni kapasitenin bellek fiyatları yapay zeka sistemleri kurmanın ve işletmenin ekonomisini kemirmeye başlamadan önce gelip gelmeyeceği ya da kıtlığın endüstrinin kaç hızlandırıcı konuşlandırabileceğini basitçe sınırlayıp sınırlamayacağı.
---Yarı iletken üretimi için güvenilir Ferrofluid Vakum Döner Geçiş
Yarı iletken üretiminde, döner hareket sırasında ultra yüksek vakum bütünlüğünü korumak kritiktir — tek silikon kristal büyümesi ve CVD'den sputtering ve plazma dağlamaya kadar. FerrofluidTec'ten Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough, 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹ kadar düşük sızıntı oranları, 10⁻⁶ Pa'ya kadar vakum derecesi ve 10mm'den 100mm'ye kadar özelleştirilebilir mil çapları ile hermetik olarak sızdırmaz döner geçişler sunar. Manyetik olmayan paslanmaz çelik muhafazalar ve manyetik geçirgenlik paslanmaz çelik miller ile üretilen bu geçişler, zorlu vakum ortamları için güvenilir, bakım gerektirmeyen sızdırmazlık sağlar. Daha fazla bilgi için www.ferrofluidtec.com adresini ziyaret edin.