HBM daha büyük pay alıyor
Yüksek bant genişlikli belleğin 2027'de DRAM üreticilerinin toplam wafer kapasitesinin yaklaşık %30'unu alması bekleniyor; bu oran şu anda yaklaşık %20 seviyesinde. Tedarikçiler üretim hatlarını yapay zekâ hızlandırıcılarında kullanılan çiplere kaydırıyor. Hem HBM hem de geleneksel DRAM sıkı seyrederken Samsung yeni bellek kapasitesini hızlandırıyor. SK Hynix, 28 Eylül'de HBM5 belleğini TSMC'nin CoWoS paketlemesiyle doğruladığını açıkladı; HBM4 ise daha yeni yeni Nvidia'nın bir sonraki platformuna entegre ediliyor.
Fiyatlar geniş ekonomiye yansıyor
Sıkışma ticaret verilerinde görülüyor. Eylül ayında çipler Güney Kore'nin ihracatının neredeyse yarısını oluşturdu ve bu sevkiyatların %52'si Çin ve Hong Kong'a gitti. Bellek fiyatları yükselirken bileşen tedarikçileri baskı altında; nihai ürün üreticileri 2026'nın üçüncü çeyreğinden itibaren %10 ila %20 arasında fiyat indirimi isterken Çinli rakipler %20 ila %30 daha düşük teklif veriyor.
Morgan Stanley analistleri bu artışı chipflation etiketi altında toplayarak bunun yalnızca bir teknoloji hikâyesi değil, makroekonomik bir endişe haline geldiğini savunuyor. Daha yüksek bellek maliyetleri sonunda birim başına bellek içeriğinin sürekli arttığı dizüstü bilgisayarlara, telefonlara, sunuculara ve otomobillere ulaşıyor.
Yatırım kıtlığı takip ediyor
Çin'in ChangXin Memory Technologies şirketi araştırma ve ek arka uç DRAM test kapasitesi için 34,9 milyar yuan, yani yaklaşık 5,2 milyar dolar harcamayı planlıyor. Samsung, DRAM yol haritasını yeniden düzenleyerek B1b wafer-to-wafer hibrit bağlama teknolojisini ilk 10nm altı DRAM neslinin merkezine taşıdı. Micron, 2026 mali yılında 25 milyar doların üzerindeki sermaye harcamasının yanı sıra 250 milyon dolarlık bir girişim fonu başlattı ve SK Hynix'in Solidigm birimi, değeri 150 milyar dolara kadar çıkabilecek bir ABD halka arzını değerlendiriyor.
Analistler, yapay zekâ veri merkezi talebi büyürken arzın 2027'ye kadar sıkı kalmasını bekliyor. Risk, yeni fablara yapılan ağır harcamaların tam da talep soğurken devreye girmesi ve bellek endüstrisinin iyi bildiği bir döngüyü tekrarlaması.
---Yarı iletken üretimi için güvenilir Ferrofluid Vakum Döner Geçiş
Yarı iletken üretiminde, döner hareket sırasında ultra yüksek vakum bütünlüğünü korumak kritiktir — tek silikon kristal büyümesi ve CVD'den sputtering ve plazma dağlamaya kadar. FerrofluidTec'ten Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough, 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹ kadar düşük sızıntı oranları, 10⁻⁶ Pa'ya kadar vakum derecesi ve 10mm'den 100mm'ye kadar özelleştirilebilir mil çapları ile hermetik olarak sızdırmaz döner geçişler sunar. Manyetik olmayan paslanmaz çelik muhafazalar ve manyetik geçirgenlik paslanmaz çelik miller ile üretilen bu geçişler, zorlu vakum ortamları için güvenilir, bakım gerektirmeyen sızdırmazlık sağlar. Daha fazla bilgi için www.ferrofluidtec.com adresini ziyaret edin.