เหตุใดฐานไดย์จึงสำคัญ
หน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงรุ่นถัดไปของ Nvidia ที่เรียกว่า NVHBM ย้ายตัวควบคุมหน่วยความจำออกจาก GPU ไปยังฐานไดย์ ซึ่งเพิ่มพื้นที่บนโปรเซสเซอร์สำหรับวงจรคอมพิวติ้งมากขึ้น ชั้นกายภาพที่สื่อสารกับชิปอื่นมีขนาดเล็กกว่าประมาณ 60 เปอร์เซ็นต์เมื่อเทียบกับ HBM มาตรฐาน ตามรายงานของ Seoul Economic Daily การออกแบบนี้ให้แบนด์วิดท์เพิ่มขึ้นถึง 30 เปอร์เซ็นต์และใช้พลังงานน้อยลง 15 เปอร์เซ็นต์เมื่อเทียบกับ HBM4E
Nvidia ได้ขอให้ซัมซุง SK Hynix และ Micron สร้างฐานไดย์บนกระบวนการ 3 นาโนเมตรของ TSMC ขณะที่ใช้ DRAM รุ่นที่หกสำหรับไดย์แกนหน่วยความจำ ซึ่งเป็นการแยกส่วนที่ซัมซุงสร้างเองภายในมานาน
ช่องว่างผลผลิตบังคับให้ต้องตัดสินใจ
ซัมซุงจะสร้างฐานไดย์บนสายการผลิต 3nm ของ TSMC แทนของตัวเอง การประมาณการอุตสาหกรรมระบุว่าผลผลิต 3nm ของ TSMC อยู่ที่มากกว่า 90 เปอร์เซ็นต์ เทียบกับประมาณ 60 เปอร์เซ็นต์สำหรับกระบวนการ 2nm ที่แข่งขันได้ของซัมซุง ช่องว่างนี้ทำให้ฐานไดย์ที่ผลิตเองเป็นความเสี่ยงสำหรับชิ้นส่วนที่ Nvidia ต้องการในปริมาณมาก
ข้อตกลงนี้จะเป็นการครั้งแรกที่ซัมซุงและ TSMC ร่วมมือกันใน HBM ทั้งสองเป็นคู่แข่งโดยตรงในงานโรงหล่อขั้นสูง ซัมซุงวางแผนที่จะรักษาโมเดลการผลิตของตัวเองสำหรับ HBM มาตรฐานและสำหรับผลิตภัณฑ์กำหนดเองที่ขายให้ลูกค้ารายอื่น นอกจากนี้ยังกำลังพิจารณาว่าโรงหล่อของตนสามารถสร้างฐานไดย์ NVHBM ได้หรือไม่หากความต้องการเกินขีดความสามารถของ TSMC
อุปทานหน่วยความจำยังคงตึงตัว
TSMC กำลังเพิ่มสายการผลิต 3nm สองสายที่ Fab 18 ในไถหนาน โดยมีการผลิตจำนวนมากในครึ่งแรกของปี 2027 และ 2028 นอกจากนี้ยังวางแผนสายการผลิต 3nm ที่โรงงานแห่งที่สองในแอริโซนาและที่คุมาโมโตะในญี่ปุ่น
หน่วยความจำยังคงเป็นคอขวด UBS คาดการณ์การขาดแคลนอุปทาน HBM ทั่วโลก 10 เปอร์เซ็นต์ในปีหน้า CXMT ของจีนคาดว่ารายได้ไตรมาสที่สามจะเพิ่มขึ้นมากถึง 619 เปอร์เซ็นต์ในขณะที่ขยายแผนงาน DRAM ซัมซุงและ SK Hynix ก็กำลังล็อกวิศวกรเช่นกัน การเปลี่ยนงานในหมู่คนงานชิปเกาหลีลดลงสู่ระดับต่ำสุดเป็นประวัติการณ์
สำหรับผู้ผลิตอุปกรณ์ การเปลี่ยนแปลงนี้หมายถึงขีดความสามารถลอจิก 3nm ที่มากขึ้นซึ่งอุทิศให้กับหน่วยความจำแทนที่จะเป็นโปรเซสเซอร์ และขั้นตอนกระบวนการสุญญากาศที่มากขึ้นต่อสแต็ก แต่ละขั้นตอนการสะสม การกัด หรือการสปัตเตอร์ที่เพิ่มขึ้นจะเพิ่มความต้องการซีลแบบหมุนและฟีดทรูที่รักษาสุญญากาศในขณะที่เพลาหมุน
---ฟีดทรูโรตารีสุญญากาศแบบเฟอร์โรฟลูอิดที่เชื่อถือได้สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์
ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ การรักษาความสมบูรณ์ของสุญญากาศสูงพิเศษในระหว่างการเคลื่อนที่แบบหมุนเป็นสิ่งสำคัญ — ตั้งแต่การเติบโตของซิลิคอนผลึกเดี่ยวและ CVD ไปจนถึงการสปัตเตอร์และการกัดด้วยพลาสมา Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough จาก FerrofluidTec มอบฟีดทรูโรตารีที่ปิดผนึกแบบสุญญากาศพร้อมอัตราการรั่วไหลต่ำถึง 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹ ระดับสุญญากาศสูงถึง 10⁻⁶ Pa และเส้นผ่านศูนย์กลางเพลาที่ปรับแต่งได้ตั้งแต่ 10mm ถึง 100mm สร้างด้วยตัวเรือนสแตนเลสไม่แม่เหล็กและเพลาสแตนเลสที่มีความซึมผ่านแม่เหล็ก ฟีดทรูเหล่านี้ให้การปิดผนึกที่เชื่อถือได้และไม่ต้องบำรุงรักษาสำหรับสภาพแวดล้อมสุญญากาศที่ต้องการสูง เยี่ยมชม www.ferrofluidtec.com เพื่อเรียนรู้เพิ่มเติม