เทคโนโลยี

ซัมซุงวางแผนเพิ่มผลผลิต HBM4 เป็นสองเท่า ขณะที่การขาดแคลนหน่วยความจำสำหรับ AI ทวีความรุนแรง

12 ยอดเข้าชม

ซัมซุงเพิ่มสายการผลิตหน่วยความจำขั้นสูงสุดเป็นสองเท่า

ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ ได้วางแผนเพิ่มผลผลิตหน่วยความจำ HBM4 และ HBM4E เป็นสองเท่าในปีหน้า ตามรายงานของ Seoul Economic Daily HBM4 เป็นหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงแบบซ้อนรุ่นที่ออกแบบมาเพื่อวางเคียงข้างตัวเร่งความเร็วระดับ Nvidia ในศูนย์ข้อมูล AI การเพิ่มผลผลิตนั้นเป็นสองเท่าจะเป็นหนึ่งในคำมั่นด้านกำลังการผลิตเดี่ยวที่ใหญ่ที่สุดในอุตสาหกรรมหน่วยความจำในทศวรรษนี้ และแสดงว่าซัมซุงคาดว่าการใช้จ่ายด้านโครงสร้างพื้นฐาน AI จะเพิ่มขึ้นต่อเนื่องถึงปี 2027

คอขวดย้ายจากลอจิกไปยังหน่วยความจำ

ตลอดการสร้างโครงสร้างพื้นฐาน AI ส่วนใหญ่ ข้อจำกัดอยู่ที่การผลิตลอจิกขั้นสูงและการบรรจุหีบห่อ แต่สิ่งนั้นเปลี่ยนไปแล้ว อุปทานระยะใกล้ของ HBM3E ขายหมดแล้ว และผู้ผลิตได้เปลี่ยนกำลังการผลิตเวเฟอร์จาก DRAM และ NAND ทั่วไปเพื่อรองรับลูกค้า AI ราคา DRAM เพิ่มขึ้นประมาณ 171 เปอร์เซ็นต์เมื่อเทียบปีต่อปี และราคาสปอต DDR5 เพิ่มขึ้นประมาณสี่เท่านับตั้งแต่ปลายปี 2025 ภายในปี 2027 โปรเซสเซอร์ Nvidia รุ่นถัดไปเพียงตัวเดียวอาจมี HBM มากถึง 384GB ตามการวิเคราะห์ของ CSIS ซึ่งเป็นตัวเลขที่จะดูดซับผลผลิตไตรมาสของซัพพลายเออร์รายหนึ่งไปเป็นส่วนใหญ่

ต้นทุนส่งถึงผู้ซื้อฮาร์ดแวร์ทั่วไป

การขาดแคลนกำลังแพร่กระจายเกินกว่าศูนย์ข้อมูล ผู้ผลิตพีซีรวมถึง Dell, Lenovo, Apple และ Microsoft ได้ผูกการขึ้นราคากับต้นทุนหน่วยความจำ โดย Dell คาดว่าราคาพีซีส่วนตัวบางรุ่นจะเพิ่มขึ้นสองหลัก ในด้านอุปกรณ์ ASML รายงานคำสั่งซื้อสุทธิ 5.4 พันล้านยูโรในไตรมาสล่าสุด ขับเคลื่อนโดยความต้องการ AI ขณะที่ส่งสัญญาณถึงการลดลงที่เป็นไปได้ของคำสั่งซื้อจากจีนในปี 2026 หุ้น SK hynix ซื้อขายใกล้ระดับสูงสุดเป็นประวัติการณ์ในโซล คำถามสำหรับปีหน้าคือกำลังการผลิตใหม่จะมาถึงก่อนที่ราคาหน่วยความจำจะเริ่มกัดกร่อนเศรษฐศาสตร์ของการสร้างและใช้งานระบบ AI หรือการขาดแคลนจะจำกัดจำนวนตัวเร่งความเร็วที่อุตสาหกรรมสามารถติดตั้งได้

---

ฟีดทรูโรตารีสุญญากาศแบบเฟอร์โรฟลูอิดที่เชื่อถือได้สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์

ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ การรักษาความสมบูรณ์ของสุญญากาศสูงพิเศษในระหว่างการเคลื่อนที่แบบหมุนเป็นสิ่งสำคัญ — ตั้งแต่การเติบโตของซิลิคอนผลึกเดี่ยวและ CVD ไปจนถึงการสปัตเตอร์และการกัดด้วยพลาสมา Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough จาก FerrofluidTec มอบฟีดทรูโรตารีที่ปิดผนึกแบบสุญญากาศพร้อมอัตราการรั่วไหลต่ำถึง 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹ ระดับสุญญากาศสูงถึง 10⁻⁶ Pa และเส้นผ่านศูนย์กลางเพลาที่ปรับแต่งได้ตั้งแต่ 10mm ถึง 100mm สร้างด้วยตัวเรือนสแตนเลสไม่แม่เหล็กและเพลาสแตนเลสที่มีความซึมผ่านแม่เหล็ก ฟีดทรูเหล่านี้ให้การปิดผนึกที่เชื่อถือได้และไม่ต้องบำรุงรักษาสำหรับสภาพแวดล้อมสุญญากาศที่ต้องการสูง เยี่ยมชม www.ferrofluidtec.com เพื่อเรียนรู้เพิ่มเติม

แหล่งที่มา: Seoul Economic Daily / CSIS / Gotrade / Blocks & Files