HBM ครองส่วนแบ่งมากขึ้น
คาดว่าหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงจะครองสัดส่วนเกือบ 30% ของกำลังผลิตเวเฟอร์ทั้งหมดของผู้ผลิต DRAM ในปี 2027 เพิ่มจากประมาณ 20% ในปัจจุบัน ขณะที่ซัพพลายเออร์เปลี่ยนสายการผลิตไปสู่ชิปที่ใช้ในตัวเร่ง AI ซัมซุงกำลังเร่งเพิ่มกำลังผลิตหน่วยความจำใหม่ เนื่องจากทั้ง HBM และ DRAM ทั่วไปยังคงตึงตัว SK Hynix กล่าวเมื่อวันที่ 28 กันยายนว่าได้ตรวจสอบความสมบูรณ์ของหน่วยความจำ HBM5 ด้วยบรรจุภัณฑ์ CoWoS ของ TSMC แล้ว แม้ว่า HBM4 เพิ่งจะถูกนำไปสร้างในแพลตฟอร์มถัดไปของ Nvidia
ราคาส่งผลกระทบต่อเศรษฐกิจในวงกว้าง
ความตึงตัวนี้ปรากฏในข้อมูลการค้า ชิปคิดเป็นเกือบครึ่งหนึ่งของการส่งออกของเกาหลีใต้ในเดือนกันยายน และจีนกับฮ่องกงคิดเป็น 52% ของการส่งออกเหล่านั้น ซัพพลายเออร์ชิ้นส่วนอยู่ภายใต้แรงกดดันขณะราคาหน่วยความจำสูงขึ้น โดยผู้ผลิตสินค้าสำเร็จรูปขอให้ลดราคา 10% ถึง 20% ตั้งแต่ไตรมาสที่สามของปี 2026 ขณะที่คู่แข่งจีนเสนอราคาต่ำกว่า 20% ถึง 30%
นักวิเคราะห์ของมอร์แกน สแตนลีย์จัดกลุ่มการเพิ่มขึ้นนี้ภายใต้ชื่อ chipflation โดยโต้แย้งว่ามันกลายเป็นความกังวลระดับมหภาคมากกว่าเป็นเพียงเรื่องเทคโนโลยี ต้นทุนหน่วยความจำที่สูงขึ้นย่อมไปถึงแล็ปท็อป โทรศัพท์ เซิร์ฟเวอร์ และรถยนต์ในที่สุด ซึ่งปริมาณหน่วยความจำต่อหน่วยยังคงเพิ่มขึ้น
การลงทุนตามการขาดแคลน
ChangXin Memory Technologies ของจีนวางแผนใช้จ่าย 34.9 พันล้านหยวน ประมาณ 5.2 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ ในการวิจัยและกำลังการทดสอบ DRAM ส่วนหลังเพิ่มเติม ซัมซุงได้ปรับแผนงาน DRAM ใหม่ โดยย้ายเทคโนโลยีการเชื่อมแบบไฮบริดเวเฟอร์ต่อเวเฟอร์ B1b ไปเป็นศูนย์กลางของ DRAM รุ่นต่ำกว่า 10 นาโนเมตรรุ่นแรก ไมครอนเปิดตัวกองทุนร่วมลงทุนมูลค่า 250 ล้านดอลลาร์สหรัฐ พร้อมกับงบลงทุนมากกว่า 25 พันล้านดอลลาร์สหรัฐในปีงบประมาณ 2026 และหน่วย Solidigm ของ SK Hynix กำลังพิจารณาการจดทะเบียนในสหรัฐฯ ซึ่งมีรายงานว่ามูลค่าสูงถึง 150 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ
นักวิเคราะห์คาดว่าอุปทานจะยังตึงตัวไปจนถึงปี 2027 ขณะที่ความต้องการศูนย์ข้อมูล AI เติบโต ความเสี่ยงคือการใช้จ่ายมหาศาลในโรงงานใหม่จะมาถึงพอดีกับช่วงที่ความต้องการเย็นลง ซ้ำรอยวัฏจักรที่อุตสาหกรรมหน่วยความจำคุ้นเคยดี
---ฟีดทรูโรตารีสุญญากาศแบบเฟอร์โรฟลูอิดที่เชื่อถือได้สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์
ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ การรักษาความสมบูรณ์ของสุญญากาศสูงพิเศษในระหว่างการเคลื่อนที่แบบหมุนเป็นสิ่งสำคัญ — ตั้งแต่การเติบโตของซิลิคอนผลึกเดี่ยวและ CVD ไปจนถึงการสปัตเตอร์และการกัดด้วยพลาสมา Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough จาก FerrofluidTec มอบฟีดทรูโรตารีที่ปิดผนึกแบบสุญญากาศพร้อมอัตราการรั่วไหลต่ำถึง 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹ ระดับสุญญากาศสูงถึง 10⁻⁶ Pa และเส้นผ่านศูนย์กลางเพลาที่ปรับแต่งได้ตั้งแต่ 10mm ถึง 100mm สร้างด้วยตัวเรือนสแตนเลสไม่แม่เหล็กและเพลาสแตนเลสที่มีความซึมผ่านแม่เหล็ก ฟีดทรูเหล่านี้ให้การปิดผนึกที่เชื่อถือได้และไม่ต้องบำรุงรักษาสำหรับสภาพแวดล้อมสุญญากาศที่ต้องการสูง เยี่ยมชม www.ferrofluidtec.com เพื่อเรียนรู้เพิ่มเติม