ราคาสัญญายังคงเพิ่มขึ้น
ส่วนที่ชันที่สุดของการพุ่งขึ้นของราคาหน่วยความจำอาจผ่านไปแล้ว แต่การเพิ่มขึ้นยังคงดำเนินต่อไป ในการสำรวจราคาล่าสุด TrendForce คาดการณ์ว่าราคาสัญญา DRAM ทั่วไปจะเพิ่มขึ้น 13% ถึง 18% เมื่อเทียบรายไตรมาสในไตรมาสที่สามของปี 2026 โดยสัญญา NAND Flash เพิ่มขึ้น 10% ถึง 15% นั่นคือการชะลอตัวจากต้นปี ไม่ใช่การกลับทิศ ในตลาดสปอต ชิป DDR4 กระแสหลักขยับจาก 45.79 ดอลลาร์เป็น 46.04 ดอลลาร์ระหว่างวันที่ 16 ถึง 22 กันยายน ขณะที่การซื้อขาย DDR5 ยังคงระมัดระวัง
หน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์มีพฤติกรรมแตกต่างจากสิ่งอื่น ๆ ข้อตกลงอุปทานระยะยาวระหว่างผู้ซื้อรายใหญ่และผู้ผลิตหน่วยความจำกำลังจำกัดราคาเซิร์ฟเวอร์ DRAM ปริมาณสูงอย่างเงียบ ๆ ซึ่งเป็นเหตุผลที่การเพิ่มขึ้นที่ดังที่สุดตอนนี้ปรากฏในชิ้นส่วนผู้บริโภคมากกว่าสัญญาศูนย์ข้อมูล
ใครจ่าย: โน้ตบุ๊กและมือถือ
ผู้ผลิตโน้ตบุ๊กยังคงเติมสต็อก แต่ต้นทุนหน่วยความจำที่สูงขึ้นกำลังส่งผ่านไปยังราคาขายปลีก ซึ่งเป็นแนวโน้มที่ TrendForce คาดว่าจะกดดันการจัดส่งพีซีตลอดช่วงที่เหลือของปี ผู้ผลิตสมาร์ทโฟนเผชิญแรงบีบเดียวกันในตำแหน่งที่แย่กว่า เพราะหน่วยความจำคิดเป็นสัดส่วนต้นทุนฮาร์ดแวร์ที่ใหญ่กว่าในมือถือราคาย่อมเยา หลายรายกำลังขึ้นราคาและระมัดระวังแผนการผลิตมากขึ้น
การคาดการณ์ของ Gartner จากเดือนกุมภาพันธ์ให้ตัวเลขความเสียหายไว้ คือราคา DRAM และ solid-state drive รวมกันพุ่งขึ้น 130% ภายในสิ้นปี 2026 แปลงเป็นราคาพีซีสูงขึ้น 17% และราคาสมาร์ทโฟนสูงขึ้น 13% เมื่อเทียบกับปี 2025 โดยการจัดส่งพีซีทั่วโลกลดลง 10.4% และการจัดส่งสมาร์ทโฟนลดลง 8.4% คาดว่าผู้ซื้อระดับเริ่มต้นจะออกจากตลาดเร็วกว่าผู้ซื้อระดับพรีเมียมห้าเท่า
ความจุมุ่งไปที่ใด
สาเหตุไม่ใช่การขาดแคลนโรงงาน แต่เป็นการเปลี่ยนแปลงในสิ่งที่พวกเขาผลิต ตัวเร่ง AI ต้องการหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง และนั่นคือจุดที่เวเฟอร์และทุนมุ่งไป Samsung เริ่มจัดส่ง HBM4E แบบ 8 ชั้นให้ Nvidia แล้ว อัตราผลผลิต HBM4 ไต่ขึ้นสู่ระดับ 80% ก่อนแพลตฟอร์ม Rubin ของ Nvidia และ SK hynix วางแผนเพิ่มความจุเวเฟอร์เป็นสองเท่าภายในห้าปี โดยใช้จ่ายทุนปี 2026 เกิน 30 ล้านล้านวอน นักวิเคราะห์ที่เชื่อมโยงกับธนาคารกลางเกาหลีใต้สรุปเมื่อเดือนนี้ว่าความเป็นผู้นำของประเทศเหนือจีนในการผลิตหน่วยความจำมีแนวโน้มจะกว้างขึ้น ผู้ซื้อหน่วยความจำสำหรับผู้บริโภคเพียงแค่อยู่ท้ายคิวนั้น
---
ฟีดทรูโรตารีสุญญากาศแบบเฟอร์โรฟลูอิดที่เชื่อถือได้สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์
ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ การรักษาความสมบูรณ์ของสุญญากาศสูงพิเศษในระหว่างการเคลื่อนที่แบบหมุนเป็นสิ่งสำคัญ — ตั้งแต่การเติบโตของซิลิคอนผลึกเดี่ยวและ CVD ไปจนถึงการสปัตเตอร์และการกัดด้วยพลาสมา Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough จาก FerrofluidTec มอบฟีดทรูโรตารีที่ปิดผนึกแบบสุญญากาศพร้อมอัตราการรั่วไหลต่ำถึง 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹ ระดับสุญญากาศสูงถึง 10⁻⁶ Pa และเส้นผ่านศูนย์กลางเพลาที่ปรับแต่งได้ตั้งแต่ 10mm ถึง 100mm สร้างด้วยตัวเรือนสแตนเลสไม่แม่เหล็กและเพลาสแตนเลสที่มีความซึมผ่านแม่เหล็ก ฟีดทรูเหล่านี้ให้การปิดผนึกที่เชื่อถือได้และไม่ต้องบำรุงรักษาสำหรับสภาพแวดล้อมสุญญากาศที่ต้องการสูง เยี่ยมชม www.ferrofluidtec.com เพื่อเรียนรู้เพิ่มเติม