ทำไมแรมหนึ่งแท่งจึงมีราคาสี่เท่า
ภาวะขาดแคลนหน่วยความจำที่เริ่มต้นในศูนย์ข้อมูล AI ได้ลามมาถึงชั้นวางสินค้าแล้ว ราคา DRAM สำหรับผู้บริโภคไต่ขึ้นตลอดปี 2026 ขณะที่ซัมซุง SK ไฮนิกซ์ และไมครอน เบนการผลิตไปสู่หน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง หรือ HBM ซึ่งเป็นชิปแบบเรียงซ้อนที่วางเคียงกับตัวเร่ง AI ชุด DDR5 ขนาด 32GB มาตรฐานที่เคยขายต่ำกว่า 100 ดอลลาร์ ตอนนี้ซื้อขายกันสูงกว่า 400 ดอลลาร์ในหลายตลาด
การ์ตเนอร์คาดการณ์ว่าราคา DRAM จะเพิ่มขึ้น 47% ในปี 2026 เนื่องจากอุปทานไม่เพียงพอทั้งในหน่วยความจำกระแสหลักและรุ่นเก่า ข้อมูลของ TrendForce ที่อ้างโดยผู้ติดตามอุตสาหกรรมระบุว่าราคาสัญญา DRAM เพิ่มขึ้นราว 90% ในไตรมาสแรกเพียงไตรมาสเดียวเมื่อเทียบกับไตรมาสก่อนหน้า
ขายหมด และไม่ใช่แค่ปีนี้
SK ไฮนิกซ์ กล่าวในการประชุมผลประกอบการเดือนตุลาคมว่ากำลังการผลิต HBM, DRAM และ NAND ของบริษัทขายหมดแล้วสำหรับปี 2026 ไมครอนได้ถอนตัวจากธุรกิจหน่วยความจำสำหรับผู้บริโภคเพื่อมุ่งเน้นลูกค้าองค์กรและ AI HBM คิดเป็น 23% ของผลผลิตเวเฟอร์ DRAM ทั้งหมดภายในเดือนเมษายน เพิ่มจาก 19% ในปี 2025 เพราะ HBM แต่ละกองใช้พื้นที่เวเฟอร์ต่อกิกะไบต์มากกว่าหน่วยความจำทั่วไปอย่างมาก
การคำนวณนี้เองที่บีบตลาดส่วนที่เหลือ เมื่อสามบริษัทที่ควบคุมผลผลิต DRAM ส่วนใหญ่ของโลกเบนกำลังการผลิตไปสู่ผลิตภัณฑ์ที่กำไรสูงสุด อุปทานของหน่วยความจำราคาถูกสำหรับแล็ปท็อป โทรศัพท์ และเครื่องเล่นเกมจึงลดลง
ผลกระทบที่ตามมา
การ์ดจอแสดงให้เห็นผลลัพธ์ ราคาขายปลีกของการ์ด Nvidia RTX 5090 มีรายงานว่าอยู่ระหว่าง 7,000 ถึง 9,500 ดอลลาร์ในบางตลาด สูงกว่าราคาที่กำหนดอย่างมาก เนื่องจากผู้ซื้อในกลุ่ม AIกว้านซื้อการ์ดจำนวนมาก นักวิเคราะห์คาดว่าแรงกดดันต่อโทรศัพท์ ไดรฟ์โซลิดสเตต และเซิร์ฟเวอร์องค์กรจะดำเนินต่อไปจนถึงปี 2028 โดยซัพพลายเออร์บางรายเตือนว่าความตึงตัวอาจยาวนานเกินปี 2030 หากความต้องการ AI ยังคงเติบโต
สำหรับผู้ซื้อ คำแนะนำที่ใช้ได้จริงนั้นไม่หรูหราเลย หากจำเป็นต้องซื้อเครื่องหรืออัปเกรดหน่วยความจำในปีหน้า ควรเผื่องบสำหรับราคาที่สูงขึ้นและระยะเวลารอรับสินค้าที่นานขึ้น และซื้อในปริมาณตามสัญญาแต่เนิ่นๆ แทนที่จะซื้อแบบสปอต สำหรับผู้ผลิตหน่วยความจำ วัฏจักรนี้กลายเป็นลาภลอย อย่างน้อยก็จนกว่าโรงงานผลิตแห่งใหม่จะเปิดดำเนินการ
---ฟีดทรูโรตารีสุญญากาศแบบเฟอร์โรฟลูอิดที่เชื่อถือได้สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์
ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ การรักษาความสมบูรณ์ของสุญญากาศสูงพิเศษในระหว่างการเคลื่อนที่แบบหมุนเป็นสิ่งสำคัญ — ตั้งแต่การเติบโตของซิลิคอนผลึกเดี่ยวและ CVD ไปจนถึงการสปัตเตอร์และการกัดด้วยพลาสมา Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough จาก FerrofluidTec มอบฟีดทรูโรตารีที่ปิดผนึกแบบสุญญากาศพร้อมอัตราการรั่วไหลต่ำถึง 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹ ระดับสุญญากาศสูงถึง 10⁻⁶ Pa และเส้นผ่านศูนย์กลางเพลาที่ปรับแต่งได้ตั้งแต่ 10mm ถึง 100mm สร้างด้วยตัวเรือนสแตนเลสไม่แม่เหล็กและเพลาสแตนเลสที่มีความซึมผ่านแม่เหล็ก ฟีดทรูเหล่านี้ให้การปิดผนึกที่เชื่อถือได้และไม่ต้องบำรุงรักษาสำหรับสภาพแวดล้อมสุญญากาศที่ต้องการสูง เยี่ยมชม www.ferrofluidtec.com เพื่อเรียนรู้เพิ่มเติม