ศูนย์ข้อมูลใช้ผลผลิตส่วนใหญ่ในขณะนี้
ตลาดชิปหน่วยความจำพลิกผันแล้ว ศูนย์ข้อมูลที่สร้างขึ้นเพื่อฝึกและรันโมเดล AI ขณะนี้คาดว่าใช้ชิปหน่วยความจำราว 70% ของที่ผลิตทั่วโลก ตามข้อมูลของ IDC สามบริษัทที่ผลิต DRAM กว่า 95% ของโลก ได้แก่ ซัมซุง เอสเค ไฮนิกซ์ และไมครอน ได้ย้ายสายการผลิตไปสู่หน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง ซึ่งเป็นชิปแบบเรียงซ้อนที่วางอยู่ข้างตัวเร่ง AI
หน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงขณะนี้ใช้กำลังการผลิตเวเฟอร์ DRAM ราว 23% เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วจากเมื่อไม่กี่ปีก่อน กำลังการผลิตนั้นต้องมาจากที่ใดที่หนึ่ง มันมาจาก DRAM ทั่วไปและแฟลช NAND ที่ใช้ในแล็ปท็อป โทรศัพท์ แท็บเล็ต และรถยนต์
ราคาเพิ่มขึ้นสองเท่าและผู้ซื้อถูกจัดสรรโควตา
ราคา DRAM เพิ่มขึ้นราวสองเท่าตั้งแต่ต้นปี 2025 การเติบโตของอุปทานในปี 2026 คาดการณ์ไว้ที่ราว 16% สำหรับ DRAM และ 17% สำหรับ NAND ทั้งสองต่ำกว่าช่วง 20% ถึง 30% ที่เป็นปกติในรอบก่อนๆ IDC คาดว่าราคา PC แท็บเล็ต และสมาร์ทโฟนจะเพิ่มขึ้น 10% ถึง 20% ภายในสิ้นปี
การจัดส่งจึงลดลง การจัดส่งสมาร์ทโฟนคาดว่าจะลดลง 12.9% ในปี 2026 และตลาด PC เผชิญการหดตัว 11.3% ผู้ผลิตอุปกรณ์กล่าวว่าพวกเขาได้รับการจัดสรรชิปน้อยกว่าที่สั่ง และบางรายกำลังลดหน่วยความจำในรุ่นพื้นฐานเพื่อตรึงราคาไว้
ทำไมการขาดแคลนจึงแก้ไขได้ช้า
การเพิ่มกำลังการผลิตเวเฟอร์ต้องใช้เวลาหลายปี โรงงานใหม่ต้องใช้ที่ดิน น้ำ ไฟฟ้า เครื่องมือ และบุคลากรที่ผ่านการฝึกอบรม และคิวอุปกรณ์ก็ยาว ผู้ผลิตหน่วยความจำยังระมัดระวัง เพราะจำรอบก่อนๆ ที่กำลังการผลิตส่วนเกินกลายเป็นราคาตกต่ำได้ นักวิเคราะห์คาดว่าอุปทานจะตึงตัวไปจนถึงปี 2027
การขาดแคลนกลายเป็นประเด็นทางการเมืองแล้ว นักลงทุนเริ่มถามว่าผลตอบแทนจากการใช้จ่ายด้าน AI คุ้มกับการขยายหรือไม่ และหุ้นเทคโนโลยีขนาดใหญ่บางตัวร่วงลงจากคำถามเหล่านั้นในสัปดาห์นี้ ข้อตกลงจัดหาชิปกลายเป็นหมากต่อรองในการเจรจาการค้า และรัฐบาลกำลังผลักดันโรงงานในประเทศ
สำหรับผู้บริโภค ผลในทางปฏิบัติง่ายๆ คือ แล็ปท็อปรุ่นเดียวกันมีราคาแพงกว่าปีที่แล้ว และฤดูลดราคาจะบางลง สำหรับผู้ผลิต แรงกดดันไหลผ่านทั้งห่วงโซ่ รวมถึงอุปกรณ์สุญญากาศที่ใช้ในการสะสมและกัดชั้นต่างๆ ภายในชิปหน่วยความจำทุกตัว
---ฟีดทรูโรตารีสุญญากาศแบบเฟอร์โรฟลูอิดที่เชื่อถือได้สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์
ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ การรักษาความสมบูรณ์ของสุญญากาศสูงพิเศษในระหว่างการเคลื่อนที่แบบหมุนเป็นสิ่งสำคัญ — ตั้งแต่การเติบโตของซิลิคอนผลึกเดี่ยวและ CVD ไปจนถึงการสปัตเตอร์และการกัดด้วยพลาสมา Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough จาก FerrofluidTec มอบฟีดทรูโรตารีที่ปิดผนึกแบบสุญญากาศพร้อมอัตราการรั่วไหลต่ำถึง 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹ ระดับสุญญากาศสูงถึง 10⁻⁶ Pa และเส้นผ่านศูนย์กลางเพลาที่ปรับแต่งได้ตั้งแต่ 10mm ถึง 100mm สร้างด้วยตัวเรือนสแตนเลสไม่แม่เหล็กและเพลาสแตนเลสที่มีความซึมผ่านแม่เหล็ก ฟีดทรูเหล่านี้ให้การปิดผนึกที่เชื่อถือได้และไม่ต้องบำรุงรักษาสำหรับสภาพแวดล้อมสุญญากาศที่ต้องการสูง เยี่ยมชม www.ferrofluidtec.com เพื่อเรียนรู้เพิ่มเติม