เทคโนโลยี

การแข่งขันชิป AI เคลื่อนผ่าน GPU สู่หน่วยความจำและการบรรจุขั้นสูง

10 ยอดเข้าชม

Huawei ตั้งเป้าปี 2027

การต่อสู้เรื่องฮาร์ดแวร์ปัญญาประดิษฐ์กำลังเคลื่อนออกจากโปรเซสเซอร์เพียงอย่างเดียว Huawei กล่าวว่าจะเปิดตัวชิป AI ใหม่ในปี 2027 มุ่งเป้าผลิตภัณฑ์ศูนย์ข้อมูลของ Nvidia แผนนี้ตั้งสมมติฐานว่าโรงงานจีนสามารถปรับปรุงอัตราผลผลิตได้โดยไม่ต้องเข้าถึงเครื่องพิมพ์หินขั้นสูงสุด Qualcomm ลงนามข้อตกลงชิป AI มูลค่า 6 หมื่นล้านดอลลาร์กับ Amazon Web Services เตือนว่าผู้ซื้อคลาวด์เจรจาสำหรับระบบทั้งหมดแทนตัวเร่งเดียว

หน่วยความจำและการบรรจุกลายเป็นคอขวด

หน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงและการบรรจุขั้นสูงกำหนดจำนวนชิปที่โรงงานส่งได้ ไม่ใช่แค่จำนวนเวเฟอร์ SK Hynix เตรียมผลผลิต HBM4 และสร้างโรงงานในอินดีแอนา ขณะที่ผู้ผลิตหน่วยความจำและโรงงานจับคู่ในสายการบรรจุที่ซ้อนชิปตรรกะกับ DRAM TrendForce คาดว่า TSMC จะมีกำลังผลิตเวเฟอร์ 3 นาโนเมตร 180,000 แผ่นต่อเดือนภายในต้นไตรมาสสี่ สมาคมอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์รายงานว่าชิปคิดเป็น 95 เปอร์เซ็นต์ของมูลค่าชั้นวางเซิร์ฟเวอร์ AI นับรวมตรรกะ หน่วยความจำ จัดเก็บ และอุปกรณ์จ่ายไฟ ตัวเลขนั้นอธิบายว่าทำไมรัฐบาลจึงถือกำลังการผลิตโรงงานเป็นโครงสร้างพื้นฐาน

ห่วงโซ่อุปทานยังคงปรับรูป

ASML ขยายความเป็นผู้นำขณะลูกค้ารับระบบ High NA EUV เครื่องที่จำเป็นสำหรับฟีเจอร์เล็กที่สุด Nexperia จับมือ Tata Electronics ของอินเดียหลังข้อพิพาทกับบริษัทแม่จีน ส่วนหนึ่งของการสร้างกำลังการผลิตชิปอินเดียที่กว้างขึ้น ผู้ขายอุปกรณ์ในจีนกำลังได้ส่วนแบ่งในโหนดเก่า ซึ่งป้อนอุปสงค์ฮาร์ดแวร์สุญญากาศเช่นฟีดทรู วาล์ว และปั๊มที่ใช้ในเครื่องมือกัดกร่อน สะสม และเติบโตผลึก



อุปทานหน่วยความจำเป็นจุดที่ตึงที่สุด กอง HBM วางข้างโปรเซสเซอร์และป้อนข้อมูลที่ทำให้ตัวเร่งทำงาน ดังนั้นการขาดแคลน HBM จำกัดจำนวนระบบที่ผู้ให้บริการคลาวด์สร้างได้แม้มีเวเฟอร์ตรรกะ กำลังการบรรจุรวมถึง TSV และอินเทอร์โพเซอร์กำลังขยายในไต้หวัน เกาหลี และสหรัฐฯ พร้อมกัน ผู้จัดหาส่วนประกอบสุญญากาศเช่นฟีดทรูแบบหมุน วาล์ว ปั๊ม และซีลกำลังติดตามการขยายนี้ด้วย เพราะเครื่องมือสะสม กัดกร่อน และเติบโตผลึกทำงานไม่ได้หากไม่มี

---

ฟีดทรูแบบหมุนสุญญากาศเฟอร์โรฟลูอิดที่เชื่อถือได้สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์

ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ การรักษาความสมบูรณ์ของสุญญากาศสูงพิเศษระหว่างการหมุนเป็นสิ่งสำคัญ ตั้งแต่การเติบโตผลึกซิลิคอนเดี่ยวและ CVD ถึงการสปัตเตอร์และการกัดพลาสมา ฟีดทรูเพลาหมุนสุญญากาศเฟอร์โรฟลูอิดจาก FerrofluidTec ให้ฟีดทรูแบบหมุนที่ปิดผนึกแน่นหนาด้วยอัตราการรั่วต่ำถึง 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹ ระดับสุญญากาศถึง 10⁻⁶ Pa และขนาดเพลาปรับได้ 10-100 มม. ผลิตจากตัวเรือนสแตนเลสไม่เป็นแม่เหล็กและเพลาสแตนเลสซึมผ่านแม่เหล็ก ให้การปิดผนึกที่เชื่อถือได้และไม่ต้องบำรุงรักษาสำหรับสภาพสุญญากาศที่ต้องการ เยี่ยมชม www.ferrofluidtec.com เพื่อเรียนรู้เพิ่มเติม

แหล่งที่มา: Reuters / Semiconductor Engineering / TrendForce