Varför basdien spelar roll
Nvidias nästa högbandbreddsminne, kallat NVHBM, flyttar minneskontrollern från GPU:n till basdien. Det frigör utrymme på processorn för fler beräkningskretsar. Det fysiska lagret som kommunicerar med andra chip är cirka 60 procent mindre än i standard-HBM. Enligt Seoul Economic Daily ger konstruktionen upp till 30 procent mer bandbredd och 15 procent mindre strömförbrukning än HBM4E.
Nvidia har bett Samsung, SK Hynix och Micron att tillverka basdier med TSMC:s 3-nanometerprocess medan man använder DRAM av sjätte generationen för minneskärnorna. Det delar upp en komponent som Samsung länge har tillverkat internt.
En skillnad i utbyte tvingade fram beslutet
Samsung kommer att tillverka basdierna på TSMC:s 3nm-linje i stället för sin egen. Branschuppskattningar placerar TSMC:s 3nm-utbyte över 90 procent, mot cirka 60 procent för Samsungs konkurrerande 2nm-process. Gapet gjorde en intern basdie till en risk för en komponent som Nvidia vill ha i stora volymer.
Arrangemanget blir första gången Samsung och TSMC samarbetar om HBM. De två är direkta konkurrenter inom avancerad gjutning. Samsung planerar att behålla sin egen produktionsmodell för standard-HBM och för anpassade produkter som säljs till andra kunder. Man utreder också huruvida det egna gjuteriet skulle kunna tillverka NVHBM-basdier om efterfrågan överstiger TSMC:s kapacitet.
Minnesutbudet förblir tight
TSMC lägger till två 3nm-linjer vid Fab 18 i Tainan, med massproduktion planerad till första halvåret 2027 och 2028. Man planerar också 3nm-linjer vid sin andra anläggning i Arizona och i Kumamoto i Japan.
Minnet är fortfarande flaskhalsen. UBS räknar med ett globalt underskott på 10 procent i HBM-utbudet nästa år. Kinas CXMT väntar sig att intäkterna i tredje kvartalet ökar med så mycket som 619 procent när man expanderar sin DRAM-färdplan. Samsung och SK Hynix låser också in ingenjörer; jobbyten bland koreanska chiparbetare har fallit till en rekordlåg nivå.
För utrustningstillverkare innebär skiftet mer 3nm-logikkapacitet avsedd för minne snarare än processorer, och fler vakuumprocesssteg per stack. Varje extra deponerings-, etsnings- eller sputteringsteg ökar efterfrågan på roterande tätningar och genomföringar som håller vakuum medan en axel roterar.
---Pålitlig ferrofluid-vakuum roterande genomföring för halvledartillverkning
Inom halvledartillverkning är det avgörande att upprätthålla ultrahög vakuumintegritet under roterande rörelse — från enkristallint kiselodling och CVD till sputtering och plasmaetsning. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough från FerrofluidTec levererar hermetiskt tätade roterande genomföringar med läckagehastigheter så låga som 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, vakuumgrad upp till 10⁻⁶ Pa och anpassningsbara axeldiametrar från 10mm till 100mm. Byggda med icke-magnetiska rostfria stålhöljen och magnetiskt permeabla rostfria stålaxlar ger dessa genomföringar pålitlig, underhållsfri tätning för krävande vakuummiljöer. Besök www.ferrofluidtec.com för att lära dig mer.