Почему важен базовый кристалл
Следующая память с высокой пропускной способностью Nvidia, называемая NVHBM, переносит контроллер памяти с графического процессора на базовый кристалл. Это освобождает место на процессоре для большего числа вычислительных схем. Физический уровень, обеспечивающий связь с другими чипами, примерно на 60% меньше, чем в стандартной HBM. По данным Seoul Economic Daily, конструкция обеспечивает до 30% большей пропускной способности и на 15% меньше энергопотребления, чем HBM4E.
Nvidia попросила Samsung, SK Hynix и Micron производить базовые кристаллы по 3-нанометровому процессу TSMC, используя DRAM шестого поколения для кристаллов ядра памяти. Это разделяет компонент, который Samsung долго производил самостоятельно.
Разрыв в выходе годных вынудил пойти на это
Samsung будет производить базовые кристаллы на 3-нм линии TSMC, а не на своей. Отраслевые оценки ставят выход годных на 3-нм процессе TSMC выше 90% против примерно 60% у конкурирующего 2-нм процесса Samsung. Этот разрыв сделал собственный базовый кристалл рискованным для компонента, который Nvidia хочет получать в больших объёмах.
Эта договорённость станет первым случаем сотрудничества Samsung и TSMC в области HBM. Две компании — прямые соперники в передовом литейном производстве. Samsung планирует сохранить собственную модель производства для стандартной HBM и для заказных продуктов, продаваемых другим клиентам. Она также изучает, сможет ли её литейное производство выпускать базовые кристаллы NVHBM, если спрос превысит мощности TSMC.
Поставки памяти остаются ограниченными
TSMC добавляет две 3-нм линии на Fab 18 в Тайнане, массовое производство ожидается в первой половине 2027 и 2028 годов. Она также планирует 3-нм линии на своём втором заводе в Аризоне и в Кумамото в Японии.
Память остаётся узким местом. UBS прогнозирует глобальный дефицит поставок HBM в 10% в следующем году. Китайская CXMT ожидает роста выручки в третьем квартале на целых 619% по мере расширения своей дорожной карты DRAM. Samsung и SK Hynix также удерживают инженеров; смена работы среди корейских работников чип-индустрии упала до рекордно низкого уровня.
Для производителей оборудования этот сдвиг означает больше 3-нм логических мощностей, выделенных под память, а не под процессоры, и больше вакуумных технологических операций на каждый стек. Каждый дополнительный этап осаждения, травления или распыления увеличивает спрос на вращающиеся уплотнения и вводы, которые поддерживают вакуум при вращении вала.
---Надежный феррожидкостный вакуумный вращающийся ввод для производства полупроводников
В производстве полупроводников поддержание целостности сверхвысокого вакуума во время вращательного движения имеет решающее значение — от выращивания монокристаллов кремния и CVD до распыления и плазменного травления. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough от FerrofluidTec обеспечивает герметично уплотненные вращающиеся вводы с уровнем утечки всего 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, степенью вакуума до 10⁻⁶ Pa и настраиваемыми диаметрами вала от 10mm до 100mm. Изготовленные с немагнитными корпусами из нержавеющей стали и валами из нержавеющей стали с магнитной проницаемостью, эти вводы обеспечивают надежное, не требующее обслуживания уплотнение для требовательных вакуумных сред. Посетите www.ferrofluidtec.com, чтобы узнать больше.