Samsung удваивает свою самую передовую линию памяти
Samsung Electronics изложила план удвоить выпуск памяти HBM4 и HBM4E в следующем году, сообщает Seoul Economic Daily. HBM4 — это поколение стековой памяти с высокой пропускной способностью, предназначенной для размещения рядом с ускорителями класса Nvidia в центрах обработки данных для ИИ. Удвоение этого выпуска стало бы одним из крупнейших единичных обязательств по мощностям в отрасли памяти за это десятилетие и показывает, что Samsung ожидает роста расходов на инфраструктуру ИИ вплоть до 2027 года.
Узкое место сместилось с логики на память
На протяжении большей части строительства ИИ-инфраструктуры ограничением было передовое производство логических чипов и упаковка. Это изменилось. Ближайшие поставки HBM3E распроданы, и производители перевели мощности по выпуску пластин с массовой DRAM и NAND на обслуживание клиентов в сфере ИИ. Цены на DRAM выросли примерно на 171 процент год к году, а спотовые цены на DDR5 примерно учетверились с конца 2025 года. По оценке CSIS, к 2027 году один процессор Nvidia следующего поколения может нести до 384 ГБ HBM — цифра, которая поглотит значительную долю квартального выпуска одного поставщика.
Издержки доходят до покупателей обычного оборудования
Дефицит распространяется за пределы центров обработки данных. Производители ПК, включая Dell, Lenovo, Apple и Microsoft, связали повышение цен с затратами на память, причём Dell ожидает двузначного роста цен на некоторые персональные компьютеры. Что касается оборудования, ASML сообщила о чистых заказах на 5,4 млрд евро в одном из последних кварталов, обусловленных спросом на ИИ, одновременно отметив вероятное снижение китайских заказов в 2026 году. Акции SK hynix торговались в Сеуле вблизи рекордных уровней. Вопрос на следующий год — появятся ли новые мощности прежде, чем цены на память начнут подрывать экономику создания и эксплуатации ИИ-систем, или же дефицит просто ограничит то, сколько ускорителей отрасль сможет развернуть.
---
Надежный феррожидкостный вакуумный вращающийся ввод для производства полупроводников
В производстве полупроводников поддержание целостности сверхвысокого вакуума во время вращательного движения имеет решающее значение — от выращивания монокристаллов кремния и CVD до распыления и плазменного травления. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough от FerrofluidTec обеспечивает герметично уплотненные вращающиеся вводы с уровнем утечки всего 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, степенью вакуума до 10⁻⁶ Pa и настраиваемыми диаметрами вала от 10mm до 100mm. Изготовленные с немагнитными корпусами из нержавеющей стали и валами из нержавеющей стали с магнитной проницаемостью, эти вводы обеспечивают надежное, не требующее обслуживания уплотнение для требовательных вакуумных сред. Посетите www.ferrofluidtec.com, чтобы узнать больше.