HBM занимает большую долю
Ожидается, что высокоскоростная память займёт почти 30% общих мощностей производителей DRAM по выпуску пластин в 2027 году по сравнению с примерно 20% сейчас, поскольку поставщики переориентируют линии на чипы, используемые в ИИ-ускорителях. Samsung ускоряет наращивание новых мощностей по производству памяти, поскольку и HBM, и обычная DRAM остаются в дефиците. SK Hynix заявила 28 сентября, что валидировала свою память HBM5 с упаковкой CoWoS от TSMC, хотя HBM4 только сейчас внедряется в следующую платформу Nvidia.
Цены влияют на всю экономику
Дефицит проявляется в торговых данных. Чипы составили почти половину экспорта Южной Кореи в сентябре, причём на Китай и Гонконг пришлось 52% этих поставок. Поставщики компонентов испытывают давление, поскольку цены на память растут: производители готовой продукции просят снижения цен на 10–20% с третьего квартала 2026 года, тогда как китайские конкуренты предлагают на 20–30% ниже.
Аналитики Morgan Stanley объединили этот рост под ярлыком «чипфляция», утверждая, что это стало макроэкономической проблемой, а не только технологической историей. Более высокие затраты на память в конечном итоге доходят до ноутбуков, телефонов, серверов и автомобилей, где объём памяти на единицу продукции постоянно растёт.
Инвестиции следуют за дефицитом
Китайская ChangXin Memory Technologies планирует потратить 34,9 млрд юаней, около 5,2 млрд долларов США, на исследования и дополнительные мощности по тестированию DRAM на этапе бэкенда. Samsung пересмотрела свою дорожную карту DRAM, переместив технологию гибридного соединения пластина-к-пластине B1b в центр своего первого поколения DRAM с техпроцессом менее 10 нм. Micron запустила венчурный фонд на 250 млн долларов США наряду с более чем 25 млрд долларов США капитальных расходов в 2026 финансовом году, а подразделение Solidigm компании SK Hynix рассматривает листинг в США, который, по сообщениям, оценивается до 150 млрд долларов США.
Аналитики ожидают, что предложение останется ограниченным до 2027 года, пока растёт спрос со стороны центров обработки данных для ИИ. Риск в том, что крупные расходы на новые фабрики придутся как раз на момент охлаждения спроса, повторяя цикл, хорошо знакомый индустрии памяти.
---Надежный феррожидкостный вакуумный вращающийся ввод для производства полупроводников
В производстве полупроводников поддержание целостности сверхвысокого вакуума во время вращательного движения имеет решающее значение — от выращивания монокристаллов кремния и CVD до распыления и плазменного травления. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough от FerrofluidTec обеспечивает герметично уплотненные вращающиеся вводы с уровнем утечки всего 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, степенью вакуума до 10⁻⁶ Pa и настраиваемыми диаметрами вала от 10mm до 100mm. Изготовленные с немагнитными корпусами из нержавеющей стали и валами из нержавеющей стали с магнитной проницаемостью, эти вводы обеспечивают надежное, не требующее обслуживания уплотнение для требовательных вакуумных сред. Посетите www.ferrofluidtec.com, чтобы узнать больше.