Samsung dobra sua linha de memória mais avançada
A Samsung Electronics traçou um plano para dobrar a produção de memórias HBM4 e HBM4E no próximo ano, segundo o Seoul Economic Daily. A HBM4 é a geração de memória de alta largura de banda empilhada projetada para ficar ao lado de aceleradores da classe Nvidia em data centers de IA. Dobrar essa produção seria um dos maiores compromissos únicos de capacidade da indústria de memória nesta década, e mostra que a Samsung espera que os gastos com infraestrutura de IA continuem crescendo até 2027.
O gargalo mudou da lógica para a memória
Durante a maior parte da expansão da IA, a restrição era a manufatura avançada de lógica e a embalagem. Isso mudou. A oferta de curto prazo de HBM3E está esgotada, e os fabricantes desviaram capacidade de wafers de DRAM e NAND de commodities para atender clientes de IA. Os preços de DRAM subiram cerca de 171 por cento ano a ano e os preços à vista de DDR5 quase quadruplicaram desde o fim de 2025. Até 2027, um único processador Nvidia de próxima geração poderá carregar até 384GB de HBM, segundo análise do CSIS, um número que absorveria uma grande parte da produção trimestral de um fornecedor.
Custos chegam aos compradores de hardware comum
A escassez está se espalhando além dos data centers. Fabricantes de PCs, incluindo Dell, Lenovo, Apple e Microsoft, vincularam aumentos de preços aos custos de memória, com a Dell esperando altas de dois dígitos para alguns computadores pessoais. Do lado dos equipamentos, a ASML reportou pedidos líquidos de 5,4 bilhões de euros em um trimestre recente, impulsionados pela demanda de IA, enquanto sinalizava um provável declínio nos pedidos chineses para 2026. As ações da SK hynix têm sido negociadas perto de níveis recordes em Seul. A questão para o próximo ano é se a nova capacidade chegará antes que os preços de memória comecem a corroer a economia de construir e operar sistemas de IA, ou se a escassez simplesmente limitará quantos aceleradores a indústria pode implantar.
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