Dlaczego płytka bazowa ma znaczenie
Kolejna pamięć o wysokiej przepustowości Nvidii, nazwana NVHBM, przenosi kontroler pamięci z GPU na płytkę bazową. To uwalnia miejsce na procesorze na więcej układów obliczeniowych. Warstwa fizyczna komunikująca się z innymi chipami jest o około 60 proc. mniejsza niż w standardowym HBM. Według Seoul Economic Daily projekt zapewnia do 30 proc. większą przepustowość i 15 proc. mniejsze zużycie energii niż HBM4E.
Nvidia poprosiła Samsunga, SK Hynix i Micron o budowę płytek bazowych w procesie 3 nanometrów TSMC przy użyciu DRAM szóstej generacji na płytki rdzeniowe pamięci. To dzieli część, którą Samsung od dawna produkował we własnym zakresie.
Luka wydajnościowa wymusiła decyzję
Samsung wykona płytki bazowe na linii 3 nm TSMC, a nie własnej. Szacunki branżowe wskazują, że wydajność procesu 3 nm TSMC przekracza 90 proc., wobec około 60 proc. dla konkurencyjnego procesu 2 nm Samsunga. Luka ta sprawiła, że wewnętrzna płytka bazowa stała się ryzykiem dla części, którą Nvidia chce mieć w dużych ilościach.
Porozumienie byłoby pierwszym przypadkiem współpracy Samsunga i TSMC przy HBM. Obie firmy są bezpośrednimi rywalami w zaawansowanej produkcji odlewniczej. Samsung planuje zachować własny model produkcji dla standardowego HBM i produktów niestandardowych sprzedawanych innym klientom. Rozważa też, czy jego odlewnia mogłaby produkować płytki bazowe NVHBM, gdyby popyt przerósł moce TSMC.
Podaż pamięci pozostaje napięta
TSMC dodaje dwie linie 3 nm w Fab 18 w Tainan, z masową produkcją planowaną na pierwszą połowę 2027 i 2028 roku. Planuje też linie 3 nm w swojej drugiej fabryce w Arizonie i w Kumamoto w Japonii.
Pamięć pozostaje wąskim gardłem. UBS prognozuje 10-procentowy globalny niedobór podaży HBM w przyszłym roku. Chiński CXMT oczekuje wzrostu przychodów w trzecim kwartale o nawet 619 proc. w miarę rozbudowy swojej mapy drogowej DRAM. Samsung i SK Hynix również zabezpieczają inżynierów; zmiany pracy wśród koreańskich pracowników branży chipów spadły do rekordowo niskiego poziomu.
Dla producentów sprzętu zmiana oznacza więcej mocy logicznych 3 nm przeznaczonych na pamięć, a nie procesory, oraz więcej etapów procesu próżniowego na stos. Każdy dodatkowy etap osadzania, trawienia lub napylania zwiększa popyt na uszczelnienia obrotowe i przepusty, które utrzymują próżnię, gdy wał się obraca.
---Niezawodny ferrofluidowy próżniowy obrotowy przepustnik do produkcji półprzewodników
W produkcji półprzewodników utrzymanie integralności ultra wysokiej próżni podczas ruchu obrotowego jest krytyczne — od wzrostu monokryształów krzemu i CVD po rozpylanie i trawienie plazmowe. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough od FerrofluidTec dostarcza hermetycznie uszczelnione obrotowe przepustniki o współczynniku wycieku tak niskim jak 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, stopniu próżni do 10⁻⁶ Pa i konfigurowalnych średnicach wału od 10mm do 100mm. Wykonane z niemagnetycznych obudów ze stali nierdzewnej i wałów ze stali nierdzewnej o przenikalności magnetycznej, te przepustniki zapewniają niezawodne, bezobsługowe uszczelnienie dla wymagających środowisk próżniowych. Odwiedź www.ferrofluidtec.com, aby dowiedzieć się więcej.