Samsung podwaja swoją najbardziej zaawansowaną linię pamięci
Samsung Electronics przedstawił plan podwojenia produkcji pamięci HBM4 i HBM4E w przyszłym roku, według Seoul Economic Daily. HBM4 to generacja stosowanej pamięci o wysokiej przepustowości, zaprojektowanej do pracy obok akceleratorów klasy Nvidia w centrach danych AI. Podwojenie tej produkcji byłoby jednym z największych pojedynczych zobowiązań dotyczących mocy produkcyjnych w branży pamięci w tej dekadzie i pokazuje, że Samsung oczekuje dalszego wzrostu wydatków na infrastrukturę AI przez cały 2027 rok.
Wąskie gardło przeniosło się z logiki na pamięć
Przez większość okresu budowy infrastruktury AI ograniczeniem była zaawansowana produkcja logiki i pakowanie. To się zmieniło. Krótkoterminowa podaż HBM3E jest wyprzedana, a producenci przenieśli moce produkcyjne wafli z commodity DRAM i NAND, aby obsłużyć klientów AI. Ceny DRAM wzrosły o około 171 procent rok do roku, a ceny spot DDR5 wzrosły mniej więcej czterokrotnie od końca 2025 roku. Według analizy CSIS do 2027 roku pojedynczy procesor Nvidia nowej generacji mógłby zawierać nawet 384 GB pamięci HBM — ilość, która pochłonęłaby dużą część kwartalnej produkcji jednego dostawcy.
Koszty docierają do nabywców zwykłego sprzętu
Niedobór rozprzestrzenia się poza centra danych. Producenci komputerów PC, w tym Dell, Lenovo, Apple i Microsoft, powiązali podwyżki cen z kosztami pamięci, przy czym Dell oczekuje dwucyfrowych wzrostów cen niektórych komputerów osobistych. Po stronie sprzętu ASML odnotował zamówienia netto o wartości 5,4 miliarda euro w ostatnim kwartale, napędzane popytem na AI, jednocześnie sygnalizując prawdopodobny spadek chińskich zamówień w 2026 roku. Akcje SK hynix notowane były w Seulu blisko rekordowych poziomów. Pytanie na przyszły rok brzmi, czy nowe moce produkcyjne pojawią się, zanim ceny pamięci zaczną podkopywać ekonomikę budowania i eksploatacji systemów AI, czy też niedobór po prostu ograniczy liczbę akceleratorów, które branża może wdrożyć.
---
Niezawodny ferrofluidowy próżniowy obrotowy przepustnik do produkcji półprzewodników
W produkcji półprzewodników utrzymanie integralności ultra wysokiej próżni podczas ruchu obrotowego jest krytyczne — od wzrostu monokryształów krzemu i CVD po rozpylanie i trawienie plazmowe. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough od FerrofluidTec dostarcza hermetycznie uszczelnione obrotowe przepustniki o współczynniku wycieku tak niskim jak 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, stopniu próżni do 10⁻⁶ Pa i konfigurowalnych średnicach wału od 10mm do 100mm. Wykonane z niemagnetycznych obudów ze stali nierdzewnej i wałów ze stali nierdzewnej o przenikalności magnetycznej, te przepustniki zapewniają niezawodne, bezobsługowe uszczelnienie dla wymagających środowisk próżniowych. Odwiedź www.ferrofluidtec.com, aby dowiedzieć się więcej.