HBM zdobywa większy udział
Oczekuje się, że pamięć o wysokiej przepustowości zajmie blisko 30% całkowitych zdolności produkcyjnych wafli producentów DRAM w 2027 roku, w porównaniu z około 20% obecnie, gdy dostawcy przesuwają linie produkcyjne w kierunku chipów używanych w akceleratorach AI. Samsung przyspiesza nowe moce produkcyjne pamięci, ponieważ zarówno HBM, jak i konwencjonalny DRAM pozostają deficytowe. SK Hynix poinformował 28 września, że zatwierdził swoją pamięć HBM5 z pakowaniem CoWoS firmy TSMC, mimo że HBM4 dopiero teraz jest wbudowywany w kolejną platformę Nvidii.
Ceny przenikają do szerszej gospodarki
Presja widoczna jest w danych handlowych. Chipy stanowiły prawie połowę eksportu Korei Południowej we wrześniu, a Chiny i Hongkong odpowiadały za 52% tych dostaw. Dostawcy komponentów są pod presją, gdy ceny pamięci rosną, a producenci gotowych produktów domagają się obniżek cen o 10% do 20% od trzeciego kwartału 2026 roku, podczas gdy chińscy konkurenci oferują ceny o 20% do 30% niższe.
Analitycy Morgan Stanley zgrupowali ten wzrost pod etykietą chipflation, argumentując, że stał się on problemem makroekonomicznym, a nie tylko historią technologiczną. Wyższe koszty pamięci ostatecznie docierają do laptopów, telefonów, serwerów i samochodów, gdzie zawartość pamięci na jednostkę stale rośnie.
Inwestycje podążają za niedoborem
Chiński ChangXin Memory Technologies planuje wydać 34,9 miliarda juanów, około 5,2 miliarda dolarów, na badania i dodatkowe moce testowania DRAM w końcowym etapie produkcji. Samsung przeorganizował swoją mapę drogową DRAM, przenosząc technologię hybrydowego łączenia wafer-to-wafer B1b do centrum swojej pierwszej generacji DRAM poniżej 10 nm. Micron uruchomił fundusz venture o wartości 250 milionów dolarów wraz z ponad 25 miliardami dolarów wydatków kapitałowych w roku fiskalnym 2026, a jednostka Solidigm SK Hynix rozważa notowanie w USA, którego wartość szacuje się na nawet 150 miliardów dolarów.
Analitycy oczekują, że podaż pozostanie napięta do 2027 roku, podczas gdy popyt na centra danych AI rośnie. Ryzyko polega na tym, że duże wydatki na nowe fabryki pojawią się dokładnie w momencie, gdy popyt osłabnie, powtarzając cykl dobrze znany branży pamięci.
---Niezawodny ferrofluidowy próżniowy obrotowy przepustnik do produkcji półprzewodników
W produkcji półprzewodników utrzymanie integralności ultra wysokiej próżni podczas ruchu obrotowego jest krytyczne — od wzrostu monokryształów krzemu i CVD po rozpylanie i trawienie plazmowe. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough od FerrofluidTec dostarcza hermetycznie uszczelnione obrotowe przepustniki o współczynniku wycieku tak niskim jak 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, stopniu próżni do 10⁻⁶ Pa i konfigurowalnych średnicach wału od 10mm do 100mm. Wykonane z niemagnetycznych obudów ze stali nierdzewnej i wałów ze stali nierdzewnej o przenikalności magnetycznej, te przepustniki zapewniają niezawodne, bezobsługowe uszczelnienie dla wymagających środowisk próżniowych. Odwiedź www.ferrofluidtec.com, aby dowiedzieć się więcej.