Ceny kontraktowe wciąż rosną
Najstromsza część wzrostu cen pamięci może się skończyła, ale wspinaczka trwa. W najnowszym badaniu cenowym TrendForce prognozuje, że kontraktowe ceny konwencjonalnej pamięci DRAM wzrosną o 13% do 18% kwartał do kwartału w trzecim kwartale 2026 roku, a kontrakty na NAND Flash o 10% do 15%. To spowolnienie w porównaniu z początkiem roku, nie odwrócenie trendu. Na rynku spot główne układy DDR4 drgnęły z 45,79 do 46,04 dolara między 16 a 22 września, podczas gdy handel DDR5 pozostał ostrożny.
Pamięć serwerowa zachowuje się inaczej niż wszystko inne. Długoterminowe umowy dostaw między dużymi nabywcami a producentami pamięci po cichu ograniczają ceny wysokowolumenowej pamięci DRAM do serwerów, dlatego najgłośniejsze wzrosty pojawiają się teraz w komponentach konsumenckich, a nie w kontraktach centrów danych.
Kto płaci: notebooki i telefony
Producenci notebooków wciąż uzupełniają zapasy, ale wyższe koszty pamięci przekładają się na ceny detaliczne — trend, który według TrendForce będzie ciążył na dostawach PC do końca roku. Producenci smartfonów mierzą się z tym samym uciskiem w gorszym miejscu, ponieważ pamięć zajmuje większy udział w koszcie sprzętu niedrogiego telefonu. Wielu podnosi ceny i staje się ostrożniejszych w planach produkcyjnych.
Prognoza Gartnera z lutego nadała liczbom wymiar szkód: wzrost cen DRAM i dysków SSD łącznie o 130% do końca 2026 roku, co przekłada się na ceny PC o 17% wyższe i ceny smartfonów o 13% wyższe niż w 2025 roku, przy globalnych dostawach PC spadających o 10,4% i smartfonów o 8,4%. Oczekuje się, że nabywcy z niższej półki opuszczą rynek pięć razy szybciej niż nabywcy z wyższej półki.
Dokąd trafiają moce
Przyczyną nie jest brak fabryk, lecz zmiana tego, co produkują. Akceleratory AI potrzebują pamięci o wysokiej przepustowości i tam kierowane są płytki i kapitał. Samsung zaczął dostarczać 8-warstwowe stosy HBM4E do Nvidii, wydajność HBM4 wzrosła w kierunku 80% przed platformą Rubin Nvidii, a SK hynix planuje podwoić moce produkcyjne płytek w ciągu pięciu lat, z wydatkami kapitałowymi na 2026 rok powyżej 30 bilionów wonów. Analitycy związani z bankiem centralnym Korei Południowej doszli w tym miesiącu do wniosku, że przewaga kraju nad Chinami w produkcji pamięci prawdopodobnie się powiększy. Konsumenccy nabywcy pamięci są po prostu na końcu tej kolejki.
---
Niezawodny ferrofluidowy próżniowy obrotowy przepustnik do produkcji półprzewodników
W produkcji półprzewodników utrzymanie integralności ultra wysokiej próżni podczas ruchu obrotowego jest krytyczne — od wzrostu monokryształów krzemu i CVD po rozpylanie i trawienie plazmowe. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough od FerrofluidTec dostarcza hermetycznie uszczelnione obrotowe przepustniki o współczynniku wycieku tak niskim jak 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, stopniu próżni do 10⁻⁶ Pa i konfigurowalnych średnicach wału od 10mm do 100mm. Wykonane z niemagnetycznych obudów ze stali nierdzewnej i wałów ze stali nierdzewnej o przenikalności magnetycznej, te przepustniki zapewniają niezawodne, bezobsługowe uszczelnienie dla wymagających środowisk próżniowych. Odwiedź www.ferrofluidtec.com, aby dowiedzieć się więcej.