Weekend bez komunikatu prasowego
Sam Altman poleciał do Korei Południowej bez zapowiedzi. W sobotę spotkał się z około 50 menedżerami spółek zależnych Samsunga z branż elektroniki, finansów i biotechnologii w zakładzie firmy w Yongin, na południe od Seulu. Lokalne media donosiły także o rozmowach z prezesem SK Group Chey Tae-wonem. SK Hynix podał, że nie może potwierdzić spotkania, a żadna ze stron nie ogłosiła porozumień dotyczących cen, wolumenów ani inwestycji w chipy.
Tematem była pamięć. Plany centrów danych OpenAI wymagają ogromnych ilości pamięci o wysokiej przepustowości — układów warstwowych umieszczanych obok akceleratorów AI — oraz zwykłej pamięci DRAM dla serwerów.
Dlaczego Seul ma przewagę
Samsung i SK Hynix kontrolowały około 63 proc. globalnych przychodów z DRAM w drugim kwartale 2026 r., według Counterpoint Research. W pamięci o wysokiej przepustowości ich udział wynosił około 83 proc. Obie firmy sprzedały już przyszłe moce: produkcja HBM Samsunga na 2027 r. jest zakontraktowana, a SK Hynix ma rezerwacje do 2029 r.
Szacunki branżowe wskazują, że podaż jest w tym roku o około 1–2 proc. niższa od popytu, a luka powiększa się w 2027 r. Micron ostrzegł, że budowa nowych mocy produkcyjnych zajmuje lata, więc niedobór może potrwać do 2028 r. To zamieniło pamięć z towaru w pozycję negocjacyjną. Lisa Su z AMD i Jensen Huang z Nvidii odbyli podobne podróże, aby zabezpieczyć przydziały.
Pieniądze to drugie ograniczenie
OpenAI obniżyło swój najnowszy cel finansowania do maksymalnie 20 mld dolarów, mniej niż wcześniej oczekiwano, według doniesień. Firma obiecała duże projekty centrów danych w Korei Południowej z lokalnymi partnerami, a kwestia finansowania wpływa na tempo ich realizacji.
Seul forsuje też własną agendę. Rząd wyznaczył cel zbudowania tego, co nazywa najwydajniejszym na świecie suwerennym modelem AI, z rekordowym budżetem, i chce powiązać krajowe moce produkcyjne chipów z krajowymi programami AI, a nie eksportować je hurtowo.
Dla Altmana podróż przyniosła dobrą wolę i informacje, a nie kontrakty. Dla producentów pamięci potwierdziła rynek, na którym kupujący stoją w kolejce, zamiast negocjować. Żaden z tych wyników nie obniża ceny chipa.
---Niezawodny ferrofluidowy próżniowy obrotowy przepustnik do produkcji półprzewodników
W produkcji półprzewodników utrzymanie integralności ultra wysokiej próżni podczas ruchu obrotowego jest krytyczne — od wzrostu monokryształów krzemu i CVD po rozpylanie i trawienie plazmowe. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough od FerrofluidTec dostarcza hermetycznie uszczelnione obrotowe przepustniki o współczynniku wycieku tak niskim jak 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, stopniu próżni do 10⁻⁶ Pa i konfigurowalnych średnicach wału od 10mm do 100mm. Wykonane z niemagnetycznych obudów ze stali nierdzewnej i wałów ze stali nierdzewnej o przenikalności magnetycznej, te przepustniki zapewniają niezawodne, bezobsługowe uszczelnienie dla wymagających środowisk próżniowych. Odwiedź www.ferrofluidtec.com, aby dowiedzieć się więcej.