Dlaczego kość RAM kosztuje cztery razy więcej niż wcześniej
Niedobór pamięci, który zaczął się w centrach danych AI, dotarł na sklepową półkę. Ceny konsumenckiej pamięci DRAM rosły przez cały 2026 rok, gdy Samsung, SK Hynix i Micron przesuwały produkcję w stronę pamięci o wysokiej przepustowości, czyli HBM – układów warstwowych umieszczanych obok akceleratorów AI. Standardowe zestawy 32 GB DDR5, które sprzedawano za mniej niż 100 dolarów, na wielu rynkach kosztują teraz ponad 400 dolarów.
Gartner prognozował, że ceny DRAM wzrosną w 2026 roku o 47% z powodu niedoboru podaży zarówno w pamięci głównego nurtu, jak i starszej generacji. Dane TrendForce, cytowane przez branżowych obserwatorów, wskazywały na wzrost cen kontraktowych DRAM o około 90% tylko w pierwszym kwartale w porównaniu z poprzednim kwartałem.
Wyprzedane, i to nie tylko na ten rok
SK Hynix poinformował podczas październikowej konferencji wynikowej, że jego moce produkcyjne HBM, DRAM i NAND są zasadniczo wyprzedane na 2026 rok. Micron wycofał się z biznesu pamięci konsumenckich, by skoncentrować się na klientach korporacyjnych i AI. Do kwietnia HBM odpowiadał za 23% całkowitej produkcji wafli DRAM, w porównaniu z 19% w 2025 roku, ponieważ każdy stos HBM zużywa znacznie więcej powierzchni wafla na gigabajt niż zwykła pamięć.
Ta arytmetyka ścisnęła resztę rynku. Gdy trzy firmy kontrolujące większość globalnej produkcji DRAM przekierowują moce na produkt o najwyższej marży, podaż taniej pamięci do laptopów, telefonów i konsol do gier spada.
Skutki uboczne
Karty graficzne pokazują rezultat. Ceny detaliczne Nvidii RTX 5090 na niektórych rynkach podawano między 7 000 a 9 500 dolarów, znacznie powyżej ceny katalogowej, gdy nabywcy z branży AI kupują karty hurtowo. Analitycy oczekują presji na telefony, dyski SSD i serwery korporacyjne aż do 2028 roku, a niektórzy dostawcy ostrzegają, że napięta sytuacja może potrwać dłużej niż do 2030 roku, jeśli popyt na AI będzie nadal rósł.
Dla kupujących praktyczna rada jest mało efektowna: jeśli w ciągu najbliższego roku potrzebny jest komputer lub modernizacja pamięci, trzeba zaplanować wyższe ceny i dłuższe terminy realizacji, a wolumeny kontraktowe kupować wcześnie, a nie na rynku spot. Dla producentów pamięci cykl zamienił się w żyłę złota, przynajmniej do uruchomienia nowych fabryk.
---Niezawodny ferrofluidowy próżniowy obrotowy przepustnik do produkcji półprzewodników
W produkcji półprzewodników utrzymanie integralności ultra wysokiej próżni podczas ruchu obrotowego jest krytyczne — od wzrostu monokryształów krzemu i CVD po rozpylanie i trawienie plazmowe. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough od FerrofluidTec dostarcza hermetycznie uszczelnione obrotowe przepustniki o współczynniku wycieku tak niskim jak 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, stopniu próżni do 10⁻⁶ Pa i konfigurowalnych średnicach wału od 10mm do 100mm. Wykonane z niemagnetycznych obudów ze stali nierdzewnej i wałów ze stali nierdzewnej o przenikalności magnetycznej, te przepustniki zapewniają niezawodne, bezobsługowe uszczelnienie dla wymagających środowisk próżniowych. Odwiedź www.ferrofluidtec.com, aby dowiedzieć się więcej.