Huawei wyznacza cel na 2027 rok
Walka o sprzęt do sztucznej inteligencji odchodzi od samych procesorów. Huawei zapowiedział, że w 2027 roku wprowadzi nowe chipy AI wymierzone w produkty Nvidii dla centrów danych, plan zakładający, że chińskie fabryki będą w stanie stale poprawiać wydajność bez dostępu do najnowocześniejszych narzędzi litograficznych. Qualcomm podpisał natomiast donoszono o umowie na chipy AI o wartości 60 miliardów dolarów z Amazon Web Services, co przypomina, że nabywcy chmurowi negocjują teraz całe systemy, a nie pojedyncze akceleratory.
Pamięć i pakowanie stają się wąskim gardłem
Pamięć o wysokiej przepustowości i zaawansowane pakowanie decydują o tym, ile chipów może wysłać fabryka, a nie same rozpoczęte płytki. SK Hynix przygotowuje produkcję HBM4 i buduje zakład w Indianie, podczas gdy producenci pamięci i fabryki łączą siły w liniach pakowania, które układają układy logiczne z DRAM. TrendForce oczekuje, że miesięczne rozpoczęcia płytek 3nm TSMC osiągną 180 000 do początku czwartego kwartału. Semiconductor Industry Association podało, że półprzewodniki stanowią 95 procent wartości szafy serwerowej AI, licząc logikę, pamięć, przechowywanie i urządzenia zasilające. Ta liczba wyjaśnia, dlaczego rządy traktują teraz moce fabryk jako infrastrukturę.
Łańcuchy dostaw nadal się przekształcają
ASML rozszerzył swoją przewagę, gdy klienci przyjmują systemy High NA extreme ultraviolet, maszyny potrzebne do najmniejszych cech. Nexperia nawiązała współpracę z indyjskim Tata Electronics po sporze z chińskim właścicielem, co jest częścią szerszej rozbudowy indyjskich mocy chipowych. Producenci sprzętu w Chinach zyskują udział w dojrzałych węzłach, co napędza popyt na sprzęt próżniowy, taki jak przepusty, zawory i pompy używane w narzędziach do trawienia, osadzania i wzrostu kryształów.
Pod dostaw pamięci jest najciaśniejszym ogniwem. Stosy pamięci o wysokiej przepustowości znajdują się obok procesora i dostarczają mu dane, które utrzymują akceleratory w pracy, więc niedobór HBM ogranicza liczbę systemów, które operator chmury może zbudować, nawet gdy płytki logiczne są dostępne. Moce pakowania, w tym przez krzemowe przejścia i interpozery, są rozbudowywane jednocześnie na Tajwanie, w Korei i Stanach Zjednoczonych. Dostawcy komponentów próżniowych, takich jak obrotowe przepusty, zawory, pompy i uszczelnienia, również śledzą tę rozbudowę, ponieważ narzędzia do osadzania, trawienia i wzrostu kryształów nie mogą działać bez nich.
---Niezawodny ferrofluidowy obrotowy przepust próżniowy do produkcji półprzewodników
W produkcji półprzewodników utrzymanie integralności ultra wysokiej próżni podczas ruchu obrotowego jest krytyczne — od wzrostu monokryształów krzemu i CVD po napylanie i trawienie plazmowe. Ferrofluidowy obrotowy przepust wału próżniowego od FerrofluidTec dostarcza hermetycznie zamknięte przepusty obrotowe o współczynniku przecieku nawet 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, stopniu próżni do 10⁻⁶ Pa i konfigurowalnych średnicach wału od 10 mm do 100 mm. Zbudowane z niemagnetycznych obudów ze stali nierdzewnej i wałów ze stali nierdzewnej o przepuszczalności magnetycznej, te przepusty zapewniają niezawodne, bezobsługowe uszczelnienie w wymagających środowiskach próżniowych. Odwiedź www.ferrofluidtec.com, aby dowiedzieć się więcej.