Waarom de basisdie ertoe doet
Nvidia's volgende high-bandwidth memory, NVHBM genaamd, verplaatst de geheugencontroller van de GPU naar de basisdie. Dat maakt ruimte vrij op de processor voor meer rekencircuits. De fysieke laag die met andere chips communiceert, is ongeveer 60 procent kleiner dan bij standaard HBM. Volgens de Seoul Economic Daily levert het ontwerp tot 30 procent meer bandbreedte en 15 procent minder vermogen dan HBM4E.
Nvidia heeft Samsung, SK Hynix en Micron gevraagd basisdies te bouwen op TSMC's 3-nanometerproces terwijl zij DRAM van de zesde generatie gebruiken voor de geheugenkerndies. Dat splitst een onderdeel dat Samsung lang in eigen huis heeft gebouwd.
Een opbrengstkloof dwong de hand
Samsung maakt de basisdies op TSMC's 3nm-lijn in plaats van zijn eigen lijn. Schattingen uit de sector plaatsen TSMC's 3nm-opbrengst boven 90 procent, tegen ongeveer 60 procent voor Samsung's concurrerende 2nm-proces. De kloof maakte een basisdie in eigen huis een risico voor een onderdeel dat Nvidia in volume wil.
De regeling zou de eerste keer zijn dat Samsung en TSMC samenwerken aan HBM. De twee zijn directe rivalen in geavanceerd foundrywerk. Samsung is van plan zijn eigen productiemodel te behouden voor standaard HBM en voor aangepaste producten die aan andere klanten worden verkocht. Het onderzoekt ook of zijn foundry NVHBM-basisdies zou kunnen maken als de vraag TSMC's capaciteit overtreft.
Geheugenaanbod blijft krap
TSMC voegt twee 3nm-lijnen toe bij Fab 18 in Tainan, met massaproductie gepland in de eerste helft van 2027 en van 2028. Het is ook van plan 3nm-lijnen te bouwen bij zijn tweede fabriek in Arizona en in Kumamoto in Japan.
Geheugen blijft de bottleneck. UBS voorspelt volgend jaar een wereldwijd tekort van 10 procent in de HBM-voorziening. China's CXMT verwacht dat de omzet in het derde kwartaal met maar liefst 619 procent stijgt terwijl het zijn DRAM-roadmap uitbreidt. Samsung en SK Hynix leggen ook ingenieurs vast; baanwisselingen onder Koreaanse chipwerknemers zijn gedaald tot een recordlaagte.
Voor machinebouwers betekent de verschuiving meer 3nm-logicacapaciteit die aan geheugen in plaats van processors wordt besteed, en meer vacuümprocestappen per stapel. Elke extra depositie-, ets- of sputterstap verhoogt de vraag naar roterende afdichtingen en doorvoeringen die vacuüm houden terwijl een as draait.
---Betrouwbare ferrofluid vacuüm roterende doorvoer voor halfgeleiderproductie
Bij de productie van halfgeleiders is het handhaven van ultrahoog vacuüm-integriteit tijdens roterende beweging cruciaal — van eenkristal siliciumgroei en CVD tot sputtering en plasma-etsen. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough van FerrofluidTec levert hermetisch afgedichte roterende doorvoeren met leksnelheden tot 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, vacuümgraad tot 10⁻⁶ Pa, en aanpasbare asdiameters van 10mm tot 100mm. Gebouwd met niet-magnetische roestvrijstalen behuizingen en magnetisch permeabele roestvrijstalen assen, bieden deze doorvoeren betrouwbare, onderhoudsvrije afdichting voor veeleisende vacuümomgevingen. Bezoek www.ferrofluidtec.com voor meer informatie.