Samsung verdubbelt zijn meest geavanceerde geheugenlijn
Samsung Electronics heeft een plan uiteengezet om de productie van HBM4- en HBM4E-geheugen volgend jaar te verdubbelen, volgens Seoul Economic Daily. HBM4 is de generatie gestapeld high-bandwidth-geheugen dat ontworpen is om naast Nvidia-klasse acceleratoren in AI-datacenters te staan. Een verdubbeling van die productie zou een van de grootste individuele capaciteitsverbintenissen in de geheugenindustrie dit decennium zijn, en het toont aan dat Samsung verwacht dat de uitgaven aan AI-infrastructuur tot in 2027 blijven stijgen.
De bottleneck is verschoven van logica naar geheugen
Gedurende het grootste deel van de AI-uitbouw was de beperking geavanceerde logica-productie en verpakking. Dat is veranderd. Het kortetermijnaanbod van HBM3E is uitverkocht, en fabrikanten hebben wafercapaciteit weggehaald bij commodity-DRAM en NAND om AI-klanten te bedienen. DRAM-prijzen zijn ongeveer 171 procent jaar-op-jaar gestegen en DDR5-spotprijzen zijn sinds eind 2025 ongeveer verviervoudigd. Tegen 2027 zou een enkele next-generation Nvidia-processor maar liefst 384GB HBM kunnen bevatten, volgens analyse van CSIS, een cijfer dat een groot deel van de kwartaalproductie van één leverancier zou opslokken.
Kosten bereiken kopers van gewone hardware
Het tekort verspreidt zich buiten datacenters. PC-fabrikanten waaronder Dell, Lenovo, Apple en Microsoft hebben prijsverhogingen gekoppeld aan geheugenkosten, waarbij Dell dubbelecijferige prijsstijgingen voor sommige personal computers verwacht. Aan de apparatuurkant rapporteerde ASML netto orders van 5,4 miljard euro in een recent kwartaal, gedreven door AI-vraag, terwijl het een waarschijnlijke daling van Chinese orders voor 2026 signaleerde. SK hynix-aandelen hebben in Seoul nabij recordniveaus gehandeld. De vraag voor volgend jaar is of nieuwe capaciteit arriveert voordat geheugenprijzen gaan knagen aan de economie van het bouwen en draaien van AI-systemen, of dat het tekort simpelweg beperkt hoeveel acceleratoren de industrie kan inzetten.
---
Betrouwbare ferrofluid vacuüm roterende doorvoer voor halfgeleiderproductie
Bij de productie van halfgeleiders is het handhaven van ultrahoog vacuüm-integriteit tijdens roterende beweging cruciaal — van eenkristal siliciumgroei en CVD tot sputtering en plasma-etsen. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough van FerrofluidTec levert hermetisch afgedichte roterende doorvoeren met leksnelheden tot 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, vacuümgraad tot 10⁻⁶ Pa, en aanpasbare asdiameters van 10mm tot 100mm. Gebouwd met niet-magnetische roestvrijstalen behuizingen en magnetisch permeabele roestvrijstalen assen, bieden deze doorvoeren betrouwbare, onderhoudsvrije afdichting voor veeleisende vacuümomgevingen. Bezoek www.ferrofluidtec.com voor meer informatie.