HBM neemt een groter aandeel
High-bandwidth memory zal naar verwachting bijna 30% van de totale wafercapaciteit van DRAM-fabrikanten innemen in 2027, tegen ongeveer 20% nu, doordat leveranciers lijnen verschuiven naar chips die worden gebruikt in AI-versnellers. Samsung versnelt nieuwe geheugencapaciteit nu zowel HBM als conventioneel DRAM krap blijft. SK Hynix zei op 28 september dat het zijn HBM5-geheugen heeft gevalideerd met TSMC's CoWoS-verpakking, zelfs nu HBM4 pas net in Nvidia's volgende platform wordt ingebouwd.
Prijzen werken door in de bredere economie
De krapte is zichtbaar in handelsdata. Chips vormden bijna de helft van de Zuid-Koreaanse export in september, en China en Hongkong waren goed voor 52% van die zendingen. Componentleveranciers staan onder druk nu geheugenprijzen stijgen, waarbij fabrikanten van eindproducten om prijsverlagingen van 10% tot 20% vragen vanaf het derde kwartaal van 2026, terwijl Chinese concurrenten 20% tot 30% lager bieden.
Analisten van Morgan Stanley hebben de stijging onder het label chipflation geschaard en stellen dat het een macro-economische zorg is geworden in plaats van alleen een technologisch verhaal. Hogere geheugenkosten bereiken uiteindelijk laptops, telefoons, servers en auto's, waar de geheugeninhoud per eenheid blijft groeien.
Investeringen volgen het tekort
China's ChangXin Memory Technologies is van plan 34,9 miljard yuan, ongeveer 5,2 miljard dollar, te besteden aan onderzoek en extra back-end DRAM-testcapaciteit. Samsung heeft zijn DRAM-roadmap herschikt en zijn B1b wafer-to-wafer hybrid bonding-technologie naar het centrum van zijn eerste sub-10nm DRAM-generatie verplaatst. Micron lanceerde een durfkapitaalfonds van 250 miljoen dollar naast meer dan 25 miljard dollar aan kapitaaluitgaven in fiscaal 2026, en SK Hynix's Solidigm-eenheid overweegt een Amerikaanse beursnotering die volgens berichten tot 150 miljard dollar waard is.
Analisten verwachten dat het aanbod krap blijft tot in 2027 terwijl de vraag vanuit AI-datacenters groeit. Het risico is dat zware uitgaven aan nieuwe fabrieken net aankomen wanneer de vraag afkoelt, waarmee een cyclus wordt herhaald die de geheugenindustrie maar al te goed kent.
---Betrouwbare ferrofluid vacuüm roterende doorvoer voor halfgeleiderproductie
Bij de productie van halfgeleiders is het handhaven van ultrahoog vacuüm-integriteit tijdens roterende beweging cruciaal — van eenkristal siliciumgroei en CVD tot sputtering en plasma-etsen. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough van FerrofluidTec levert hermetisch afgedichte roterende doorvoeren met leksnelheden tot 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, vacuümgraad tot 10⁻⁶ Pa, en aanpasbare asdiameters van 10mm tot 100mm. Gebouwd met niet-magnetische roestvrijstalen behuizingen en magnetisch permeabele roestvrijstalen assen, bieden deze doorvoeren betrouwbare, onderhoudsvrije afdichting voor veeleisende vacuümomgevingen. Bezoek www.ferrofluidtec.com voor meer informatie.