삼성, 최첨단 메모리 라인 두 배로
삼성전자가 내년 HBM4와 HBM4E 메모리 생산량을 두 배로 늘리는 계획을 제시했다고 서울경제가 보도했다. HBM4는 AI 데이터센터에서 엔비디아급 가속기 옆에 배치되도록 설계된 적층형 고대역폭 메모리 세대다. 이 생산량을 두 배로 늘리는 것은 이번 10년간 메모리 업계에서 가장 큰 단일 생산 능력 약속 중 하나이며, 삼성이 AI 인프라 지출이 2027년까지 계속 증가할 것으로 보고 있음을 보여준다.
병목이 로직에서 메모리로 이동
AI 구축 과정의 대부분에서 제약은 첨단 로직 제조와 패키징이었다. 이제 상황이 바뀌었다. HBM3E의 단기 공급은 매진됐고, 제조사들은 AI 고객을 대응하기 위해 웨이퍼 생산 능력을 범용 DRAM과 NAND에서 전환했다. DRAM 가격은 전년 대비 약 171% 상승했고 DDR5 현물 가격은 2025년 말 이후 약 네 배로 뛰었다. CSIS 분석에 따르면 2027년까지 차세대 엔비디아 프로세서 한 개가 최대 384GB의 HBM을 탑재할 수 있으며, 이는 한 공급업체의 분기 생산량 중 상당 부분을 흡수할 수치다.
일반 하드웨어 구매자에게까지 미치는 비용
부족 현상은 데이터센터를 넘어 확산되고 있다. 델, 레노버, 애플, 마이크로소프트를 포함한 PC 제조사들은 가격 인상을 메모리 비용과 연결했으며, 델은 일부 개인용 컴퓨터에서 두 자릿수 가격 인상을 예상하고 있다. 장비 측면에서는 ASML이 최근 분기에 AI 수요에 힘입어 54억 유로의 순주문을 보고하면서도 2026년 중국 주문 감소 가능성을 언급했다. SK하이닉스 주가는 서울에서 사상 최고치 부근에 거래됐다. 내년의 관건은 메모리 가격이 AI 시스템 구축과 운영의 경제성을 갉아먹기 시작하기 전에 새 생산 능력이 도착하는지, 아니면 부족 현상이 업계가 배치할 수 있는 가속기 수를 그저 제한하는지다.
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