बेस डाई क्यों मायने रखती है
एनवीडिया की अगली हाई-बैंडविड्थ मेमोरी, जिसे एनवीएचबीएम कहा जाता है, मेमोरी कंट्रोलर को जीपीयू से हटाकर बेस डाई पर ले जाती है। इससे प्रोसेसर पर अधिक कंप्यूटिंग सर्किट के लिए जगह खाली होती है। अन्य चिप्स से बात करने वाली फिजिकल लेयर मानक एचबीएम की तुलना में लगभग 60 प्रतिशत छोटी है। सियोल इकोनॉमिक डेली के अनुसार, यह डिजाइन एचबीएम4ई की तुलना में 30 प्रतिशत तक अधिक बैंडविड्थ और 15 प्रतिशत कम बिजली देती है।
एनवीडिया ने सैमसंग, एसके हाइनिक्स और माइक्रोन से कहा है कि वे मेमोरी कोर डाई के लिए छठी पीढ़ी के डीआरएएम का उपयोग करते हुए टीएसएमसी की 3-नैनोमीटर प्रक्रिया पर बेस डाई बनाएं। इससे वह हिस्सा बंट जाता है जिसे सैमसंग लंबे समय से अपने यहां बनाता आया है।
यील्ड के अंतर ने मजबूर किया
सैमसंग बेस डाई अपनी फाउंड्री के बजाय टीएसएमसी की 3एनएम लाइन पर बनाएगा। उद्योग अनुमानों के अनुसार टीएसएमसी की 3एनएम यील्ड 90 प्रतिशत से अधिक है, जबकि सैमसंग की प्रतिस्पर्धी 2एनएम प्रक्रिया की लगभग 60 प्रतिशत है। इस अंतर ने उस हिस्से के लिए इन-हाउस बेस डाई को जोखिम भरा बना दिया जिसे एनवीडिया बड़ी मात्रा में चाहता है।
यह व्यवस्था पहली बार होगी जब सैमसंग और टीएसएमसी एचबीएम पर साथ काम करेंगे। दोनों उन्नत फाउंड्री कार्य में सीधे प्रतिद्वंद्वी हैं। सैमसंग मानक एचबीएम और अन्य ग्राहकों को बेचे जाने वाले कस्टम उत्पादों के लिए अपना उत्पादन मॉडल बनाए रखने की योजना बना रहा है। वह यह भी समीक्षा कर रहा है कि क्या उसकी फाउंड्री एनवीएचबीएम बेस डाई बना सकती है यदि मांग टीएसएमसी की क्षमता से आगे निकल जाए।
मेमोरी आपूर्ति तंग बनी हुई
टीएसएमसी ताइनान में फैब 18 में दो 3एनएम लाइनें जोड़ रहा है, जिनका बड़े पैमाने पर उत्पादन 2027 और 2028 की पहली छमाही में शुरू होना है। वह अपने दूसरे एरिजोना संयंत्र और जापान के कुमामोटो में भी 3एनएम लाइनों की योजना बना रहा है।
मेमोरी ही अड़चन बनी हुई है। यूबीएस को अगले साल वैश्विक एचबीएम आपूर्ति में 10 प्रतिशत की कमी का अनुमान है। चीन की सीएक्सएमटी अपने डीआरएएम रोडमैप का विस्तार करते हुए तीसरी तिमाही में 619 प्रतिशत तक राजस्व वृद्धि की उम्मीद कर रही है। सैमसंग और एसके हाइनिक्स भी इंजीनियरों को बांध रहे हैं; कोरियाई चिप कर्मचारियों के बीच नौकरी बदलना रिकॉर्ड निचले स्तर पर आ गया है।
उपकरण निर्माताओं के लिए, इस बदलाव का मतलब है कि प्रोसेसर के बजाय मेमोरी के लिए अधिक 3एनएम लॉजिक क्षमता, और प्रति स्टैक अधिक वैक्यूम प्रक्रिया चरण। प्रत्येक अतिरिक्त डिपोजिशन, एचिंग या स्पटरिंग चरण रोटरी सील और फीडथ्रू की मांग बढ़ाता है जो शाफ्ट घूमते समय वैक्यूम बनाए रखते हैं।
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