HBM का बड़ा हिस्सा
हाई-बैंडविड्थ मेमोरी 2027 में DRAM निर्माताओं की कुल वेफर क्षमता का करीब 30% हिस्सा लेने की उम्मीद है, जो अभी लगभग 20% है, क्योंकि आपूर्तिकर्ता AI एक्सेलेरेटर में इस्तेमाल होने वाली चिप्स की ओर लाइनें शिफ्ट कर रहे हैं। सैमसंग नई मेमोरी क्षमता में तेजी ला रही है क्योंकि HBM और पारंपरिक DRAM दोनों तंग बने हुए हैं। SK हाइनिक्स ने 28 सितंबर को कहा कि उसने TSMC की CoWoS पैकेजिंग के साथ अपनी HBM5 मेमोरी को मान्य किया है, जबकि HBM4 अभी नवीनतम Nvidia प्लेटफॉर्म में बनाया जा रहा है।
कीमतें व्यापक अर्थव्यवस्था में पहुंच रही हैं
यह दबाव व्यापार आंकड़ों में दिख रहा है। सितंबर में दक्षिण कोरिया के निर्यात में चिप्स का हिस्सा लगभग आधा था, और चीन तथा हांगकांग इन शिपमेंट का 52% थे। मेमोरी की कीमतें बढ़ने से घटक आपूर्तिकर्ता दबाव में हैं, तैयार माल बनाने वाले 2026 की तीसरी तिमाही से 10% से 20% तक मूल्य कटौती मांग रहे हैं, जबकि चीनी प्रतिस्पर्धी 20% से 30% कम बोली लगा रहे हैं।
मॉर्गन स्टेनली के विश्लेषकों ने इस वृद्धि को चिपफ्लेशन लेबल के तहत समूहित किया है और तर्क दिया है कि यह केवल तकनीकी कहानी नहीं बल्कि व्यापक आर्थिक चिंता बन गई है। मेमोरी की ऊंची लागत अंततः लैपटॉप, फोन, सर्वर और कारों तक पहुंचती है, जहां प्रति इकाई मेमोरी सामग्री लगातार बढ़ रही है।
निवेश कमी का पीछा कर रहा है
चीन की चांगशिन मेमोरी टेक्नोलॉजीज अनुसंधान और अतिरिक्त बैक-एंड DRAM परीक्षण क्षमता पर 34.9 अरब युआन, यानी लगभग 5.2 अरब डॉलर खर्च करने की योजना बना रही है। सैमसंग ने अपने DRAM रोडमैप को फिर से व्यवस्थित किया है और अपनी B1b वेफर-टू-वेफर हाइब्रिड बॉन्डिंग तकनीक को अपनी पहली सब-10nm DRAM पीढ़ी के केंद्र में लाया है। माइक्रोन ने 2026 वित्तीय वर्ष में 25 अरब डॉलर से अधिक के पूंजीगत खर्च के साथ 250 मिलियन डॉलर का वेंचर फंड शुरू किया, और SK हाइनिक्स की सॉलिडिग्म इकाई अमेरिकी लिस्टिंग पर विचार कर रही है, जिसका मूल्य 150 अरब डॉलर तक बताया जा रहा है।
विश्लेषकों को उम्मीद है कि AI डेटा-सेंटर मांग बढ़ने के साथ आपूर्ति 2027 तक तंग बनी रहेगी। जोखिम यह है कि नई फैब्स पर भारी खर्च ठीक उसी समय पूरा हो जाए जब मांग ठंडी पड़े, जिससे मेमोरी उद्योग का जाना-पहचाना चक्र दोहराएगा।
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