Technologie

La pénurie de mémoire pousse la HBM vers 30 % de la capacité de wafers DRAM

18 vues

La HBM gagne une part plus importante

La mémoire à haut débit devrait représenter près de 30 % de la capacité totale de wafers des fabricants de DRAM en 2027, contre environ 20 % aujourd'hui, les fournisseurs réorientant leurs lignes vers les puces utilisées dans les accélérateurs d'IA. Samsung accélère ses nouvelles capacités de mémoire alors que la HBM et la DRAM conventionnelle restent tendues. SK Hynix a déclaré le 28 septembre avoir validé sa mémoire HBM5 avec le packaging CoWoS de TSMC, alors même que la HBM4 commence seulement à être intégrée dans la prochaine plateforme de Nvidia.

Les prix se répercutent sur l'ensemble de l'économie

La tension se reflète dans les données commerciales. Les puces ont représenté près de la moitié des exportations sud-coréennes en septembre, et la Chine et Hong Kong ont absorbé 52 % de ces expéditions. Les fournisseurs de composants subissent des pressions à mesure que les prix de la mémoire grimpent, les fabricants de produits finis demandant des baisses de prix de 10 % à 20 % à partir du troisième trimestre 2026, tandis que les concurrents chinois proposent des offres inférieures de 20 % à 30 %.

Les analystes de Morgan Stanley ont regroupé cette hausse sous l'étiquette « chipflation », soutenant qu'elle est devenue une préoccupation macroéconomique et non plus seulement une histoire technologique. La hausse des coûts de mémoire finit par atteindre les ordinateurs portables, les téléphones, les serveurs et les voitures, où le contenu en mémoire par unité ne cesse de croître.

L'investissement suit la pénurie

Le chinois ChangXin Memory Technologies prévoit de dépenser 34,9 milliards de yuans, soit environ 5,2 milliards de dollars, en recherche et en capacités supplémentaires de test back-end de DRAM. Samsung a remanié sa feuille de route DRAM, plaçant sa technologie de liaison hybride wafer-to-wafer B1b au centre de sa première génération de DRAM sub-10 nm. Micron a lancé un fonds de capital-risque de 250 millions de dollars parallèlement à plus de 25 milliards de dollars de dépenses d'investissement pour l'exercice 2026, et l'unité Solidigm de SK Hynix envisage une cotation aux États-Unis qui la valoriserait jusqu'à 150 milliards de dollars.

Les analystes s'attendent à ce que l'offre reste tendue jusqu'en 2027 tandis que la demande des centres de données d'IA croît. Le risque est que des dépenses massives dans de nouvelles usines arrivent juste au moment où la demande ralentit, répétant un cycle que l'industrie de la mémoire connaît bien.

---

Traversée rotative à vide à ferrofluide fiable pour la fabrication de semi-conducteurs

Dans la fabrication de semi-conducteurs, le maintien de l'intégrité de l'ultra-vide pendant le mouvement rotatif est critique — de la croissance de monocristaux de silicium et du CVD à la pulvérisation cathodique et à la gravure au plasma. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough de FerrofluidTec offre des traversées rotatives hermétiquement scellées avec des taux de fuite aussi faibles que 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, un degré de vide allant jusqu'à 10⁻⁶ Pa, et des diamètres d'arbre personnalisables de 10mm à 100mm. Construites avec des boîtiers en acier inoxydable non magnétique et des arbres en acier inoxydable à perméabilité magnétique, ces traversées assurent une étanchéité fiable et sans entretien pour les environnements à vide exigeants. Visitez www.ferrofluidtec.com pour en savoir plus.

Source : DIGITIMES / TrendForce / CNBC