Des discussions exploratoires rapportées
Les actions d'Intel et de SK Hynix ont progressé mercredi après que Reuters a rapporté que les deux entreprises ont discuté pour la première fois de construire une production de puces mémoire aux États-Unis. Les discussions sont exploratoires et aucune décision n'a été prise, selon des sources proches. SK Hynix a ensuite indiqué qu'aucun plan n'était confirmé et qu'elle explorait encore des options pour renforcer sa compétitivité mondiale.
Un accord serait une victoire notable pour Intel, qui cherche à attirer de grands clients vers son activité de fonderie, pièce maîtresse de la stratégie du PDG Lip-Bu Tan. Il soutiendrait aussi les efforts du gouvernement américain pour rapatrier la production de semi-conducteurs.
La mémoire, goulot d'étranglement
L'information tombe en pleine pénurie de mémoire la plus aiguë depuis des années. La ruée vers les centres de données d'IA a absorbé la production de mémoire à large bande passante (HBM), et les fournisseurs disent que la production 2026 est vendue. La HBM consomme désormais environ 23 % de la capacité totale de wafers DRAM, contre un chiffre à un seul chiffre il y a deux ans.
Les prix montrent la tension. Les prix contractuels de la DRAM classique ont augmenté d'environ 93 % à 98 % d'un trimestre à l'autre au premier trimestre 2026, portant les revenus du secteur à 97 milliards de dollars, en hausse de 81 %. Un module HBM3E de 36 gigaoctets s'échangeait près de 2 100 dollars sur le marché spot début septembre, contre 300 à 400 dollars en contrats de long terme. Les prix spot de la DDR5 ont environ quadruplé depuis septembre 2025.
Pourquoi Washington surveille
SK Hynix a coté des American Depositary Receipts sur le Nasdaq en juillet et son action cotée en Corée du Sud a grimpé d'environ 400 % sur un an. Elle construit une usine d'emballage avancé de 3,87 milliards de dollars dans l'Indiana et agrandit sa fab M15X à Cheongju, en Corée du Sud.
Pour Intel, un partenariat mémoire remplirait une capacité dont ses propres lignes de produits n'ont pas besoin. Pour Washington, il réduirait la dépendance aux fabs de Corée du Sud et de Taïwan alors que les routes maritimes et les chaînes d'approvisionnement sont sous tension.
Les analystes avertissent que les discussions exploratoires se terminent souvent sans accord, et les entreprises n'ont pas fixé de calendrier.
---
Traversée rotative à vide à ferrofluide fiable pour la fabrication de semi-conducteurs
Dans la fabrication de semi-conducteurs, maintenir l'intégrité d'un vide ultra-poussé pendant un mouvement rotatif est essentiel — de la croissance de monocristaux de silicium et du CVD à la pulvérisation cathodique et à la gravure au plasma. La traversée rotative à vide à ferrofluide de FerrofluidTec offre des traversées rotatives hermétiquement scellées avec des taux de fuite aussi faibles que 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, un vide jusqu'à 10⁻⁶ Pa et des diamètres d'arbre personnalisables de 10 mm à 100 mm. Construites avec des boîtiers en acier inoxydable non magnétique et des arbres en acier inoxydable à perméabilité magnétique, ces traversées assurent une étanchéité fiable et sans entretien pour les environnements sous vide exigeants. Visitez www.ferrofluidtec.com pour en savoir plus.