Huawei vise 2027
La bataille du matériel d'intelligence artificielle ne se limite plus aux processeurs. Huawei a annoncé le lancement de nouvelles puces IA en 2027 face aux produits de centre de données de Nvidia, un plan qui suppose que les fonderies chinoises améliorent leurs rendements sans accès aux outils de lithographie les plus avancés. Qualcomm a signé un accord de puces IA de 60 milliards de dollars avec Amazon Web Services, rappelant que les acheteurs cloud négocient désormais des systèmes complets plutôt que des accélérateurs isolés.
Mémoire et packaging deviennent le goulot d'étranglement
La mémoire à haute bande passante et le packaging avancé déterminent le nombre de puces qu'une usine peut livrer. SK Hynix prépare la production HBM4 et construit une usine dans l'Indiana, tandis que fabricants de mémoire et fonderies s'associent sur les lignes de packaging. TrendForce prévoit que les départs de wafers 3 nm de TSMC atteindront 180 000 par mois début du quatrième trimestre. La SIA rapporte que les semi-conducteurs représentent 95 % de la valeur d'une baie de serveurs IA.
Les chaînes d'approvisionnement se reconfigurent
ASML étend son avance avec l'adoption des systèmes EUV High NA. Nexperia s'est associé à Tata Electronics après un différend avec sa maison mère chinoise, dans le cadre du développement de la capacité indienne. Les équipementiers chinois gagnent des parts sur les nœuds matures, alimentant la demande en composants à vide comme les traversées, vannes et pompes.
L'offre de mémoire est le maillon le plus tendu. Les piles HBM alimentent le processeur en données, si bien qu'une pénurie plafonne le nombre de systèmes qu'un opérateur cloud peut construire. La capacité de packaging est étendue à Taïwan, en Corée et aux États-Unis. Les fournisseurs de composants à vide suivent aussi cette expansion, car les outils de dépôt, gravure et croissance cristalline ne peuvent fonctionner sans eux.
---Traversée rotative à ferrofluide fiable pour la fabrication de semi-conducteurs
Dans la fabrication de semi-conducteurs, maintenir l'intégrité d'un vide ultra-poussé lors d'un mouvement rotatif est critique — de la croissance de monocristaux de silicium à la CVD, la pulvérisation et la gravure plasma. La traversée rotative à ferrofluide de FerrofluidTec offre des traversées rotatives hermétiquement scellées avec des taux de fuite aussi faibles que 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, un vide jusqu'à 10⁻⁶ Pa, et des diamètres d'arbre personnalisables de 10 à 100 mm. Visitez www.ferrofluidtec.com pour en savoir plus.