Miksi pohjasirulla on väliä
Nvidian seuraava suuren kaistanleveyden muisti, nimeltään NVHBM, siirtää muistiohjaimen GPU:lta pohjasirulle. Se vapauttaa tilaa prosessorilta useammille laskentapiireille. Fyysinen kerros, joka kommunikoi muiden sirujen kanssa, on noin 60 prosenttia pienempi kuin tavallisessa HBM:ssä. Seoul Economic Dailyn mukaan suunnittelu tarjoaa jopa 30 prosenttia enemmän kaistanleveyttä ja 15 prosenttia vähemmän tehonkulutusta kuin HBM4E.
Nvidia on pyytänyt Samsungia, SK Hynixiä ja Micronia rakentamaan pohjasirut TSMC:n 3 nanometrin prosessilla käyttäen kuudennen sukupolven DRAM:ia muistiydinsiruina. Se jakaa osan, jonka Samsung on pitkään valmistanut talon sisällä.
Tuottokuilu pakotti käden
Samsung valmistaa pohjasirut TSMC:n 3 nm:n linjalla oman sijaan. Alan arviot asettavat TSMC:n 3 nm:n tuoton yli 90 prosenttiin, kun Samsungin kilpailevan 2 nm:n prosessin vastaava on noin 60 prosenttia. Kuilu teki talon sisäisestä pohjasirusta riskin osalle, jota Nvidia haluaa suuria määriä.
Järjestely olisi ensimmäinen kerta, kun Samsung ja TSMC tekevät yhteistyötä HBM:ssä. Kaksi ovat suoria kilpailijoita kehittyneessä valimotyössä. Samsung aikoo pitää oman tuotantomallinsa tavalliselle HBM:lle ja muille asiakkaille myytäville räätälöidyille tuotteille. Se myös arvioi, voisiko sen valimo valmistaa NVHBM:n pohjasiruja, jos kysyntä ylittää TSMC:n kapasiteetin.
Muistitarjonta pysyy tiukkana
TSMC lisää kahta 3 nm:n linjaa Fab 18:ssa Tainanissa, ja massatuotanto on määrä aloittaa vuoden 2027 ensimmäisellä puoliskolla ja vuonna 2028. Se suunnittelee myös 3 nm:n linjoja toiseen Arizonaan tehtaaseensa ja Kumamotoihin Japaniin.
Muisti on edelleen pullonkaula. UBS ennustaa 10 prosentin maailmanlaajuista HBM-tarjonnan vajetta ensi vuonna. Kiinan CXMT odottaa kolmannen neljänneksen liikevaihdon kasvavan jopa 619 prosenttia laajentaessaan DRAM-tiekarttaansa. Samsung ja SK Hynix myös sitovat insinöörejä; työpaikan vaihtaminen korealaisten sirutyöntekijöiden keskuudessa on laskenut ennätysalhaiseksi.
Laitevalmistajille siirtymä tarkoittaa enemmän 3 nm:n logiikkakapasiteettia omistettuna muistille prosessorien sijaan ja enemmän tyhjiöprosessivaiheita pinoa kohden. Jokainen ylimääräinen kerrostus-, etsaus- tai sputterointivaihe lisää kysyntää pyöriville tiivisteille ja läpivienneille, jotka pitävät tyhjiön akselin pyöriessä.
---Luotettava ferrofluidityhjiö pyörivä läpivienti puolijohdevalmistukseen
Puolijohdevalmistuksessa ultra-korkean tyhjiön eheyden ylläpitäminen pyörivän liikkeen aikana on kriittistä — yksikiteisen piin kasvatuksesta ja CVD:stä sputterointiin ja plasmaetsaukseen. FerrofluidTecin Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough tarjoaa hermeettisesti tiivistettyjä pyöriviä läpivientejä, joiden vuotonopeus on jopa 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, tyhjiöaste jopa 10⁻⁶ Pa ja mukautettavat akselihalkaisijat 10mm:stä 100mm:iin. Nämä läpiviennit on valmistettu ei-magneettisista ruostumattomasta teräksestä valmistetuista koteloista ja magneettisesti läpäisevistä ruostumattomasta teräksestä valmistetuista akseleista, ja ne tarjoavat luotettavan, huoltovapaan tiivistyksen vaativiin tyhjiöympäristöihin. Vieraile osoitteessa www.ferrofluidtec.com oppiaksesi lisää.