Samsung kaksinkertaistaa kehittyneimmän muistilinjansa
Samsung Electronics on esittänyt suunnitelman kaksinkertaistaa HBM4- ja HBM4E-muistien tuotannon ensi vuonna Seoul Economic Dailyn mukaan. HBM4 on sukupolvi pinottua suurkaistanleveysmuistia, joka on suunniteltu sijoitettavaksi Nvidia-luokan kiihdyttimien viereen tekoälydatakeskuksissa. Tuotannon kaksinkertaistaminen olisi yksi muistiteollisuuden suurimmista yksittäisistä kapasiteettisitoumuksista tällä vuosikymmenellä, ja se osoittaa Samsungin odottavan tekoälyinfrastruktuurin menojen jatkavan kasvuaan vuoteen 2027 asti.
Pullonkaula on siirtynyt logiikasta muistiin
Suurimman osan tekoälyn rakentamisesta rajoite oli kehittynyt logiikkavalmistus ja paketointi. Se on muuttunut. HBM3E:n lähiajan tarjonta on myyty loppuun, ja valmistajat ovat siirtäneet kiekkojen kapasiteettia bulk-DRAM- ja NAND-muisteista palvellakseen tekoälyasiakkaita. DRAM-hinnat ovat nousseet noin 171 prosenttia vuodentakaisesta ja DDR5:n spot-hinnat ovat suunnilleen nelinkertaistuneet vuoden 2025 lopusta lähtien. Vuoteen 2027 mennessä yksi seuraavan sukupolven Nvidia-prosessori voisi sisältää jopa 384 Gt HBM-muistia CSIS:n analyysin mukaan, mikä olisi suuri osuus yhden toimittajan neljännesvuosituotannosta.
Kustannukset ulottuvat tavallisen laitteiston ostajiin
Pula leviää datakeskusten ulkopuolelle. PC-valmistajat, mukaan lukien Dell, Lenovo, Apple ja Microsoft, ovat yhdistäneet hinnankorotukset muistikustannuksiin, ja Dell odottaa kaksinumeroisia hinnannousuja joillekin henkilökohtaisille tietokoneille. Laitepuolella ASML raportoi 5,4 miljardin euron tilauskannasta äskettäisellä neljänneksellä tekoälykysynnän vetämänä ja varoitti samalla todennäköisestä kiinalaisten tilausten laskusta vuodelle 2026. SK hynixin osakkeet ovat käyneet lähellä ennätystasoja Soulissa. Ensi vuoden kysymys on, saapuuko uusi kapasiteetti ennen kuin muistihinnat alkavat leikata tekoälyjärjestelmien rakentamisen ja käytön taloutta, vai rajoittaako pula yksinkertaisesti sitä, kuinka monta kiihdytintä teollisuus voi ottaa käyttöön.
---
Luotettava ferrofluidityhjiö pyörivä läpivienti puolijohdevalmistukseen
Puolijohdevalmistuksessa ultra-korkean tyhjiön eheyden ylläpitäminen pyörivän liikkeen aikana on kriittistä — yksikiteisen piin kasvatuksesta ja CVD:stä sputterointiin ja plasmaetsaukseen. FerrofluidTecin Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough tarjoaa hermeettisesti tiivistettyjä pyöriviä läpivientejä, joiden vuotonopeus on jopa 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, tyhjiöaste jopa 10⁻⁶ Pa ja mukautettavat akselihalkaisijat 10mm:stä 100mm:iin. Nämä läpiviennit on valmistettu ei-magneettisista ruostumattomasta teräksestä valmistetuista koteloista ja magneettisesti läpäisevistä ruostumattomasta teräksestä valmistetuista akseleista, ja ne tarjoavat luotettavan, huoltovapaan tiivistyksen vaativiin tyhjiöympäristöihin. Vieraile osoitteessa www.ferrofluidtec.com oppiaksesi lisää.