HBM ottaa suuremman osuuden
High-bandwidth-muistin odotetaan vievän lähes 30 prosenttia DRAM-valmistajien kokonaiskiekkojen kapasiteetista vuonna 2027, kun se nyt on noin 20 prosenttia, kun toimittajat siirtävät linjoja tekoälykiihdyttimissä käytettäviin siruihin. Samsung kiihdyttää uutta muistikapasiteettia, kun sekä HBM että tavanomainen DRAM pysyvät tiukalla. SK Hynix kertoi 28. syyskuuta validoineensa HBM5-muistinsa TSMC:n CoWoS-paketoinnilla, vaikka HBM4 on vasta nyt tulossa Nvidian seuraavaan alustaan.
Hinnat heijastuvat laajempaan talouteen
Kiristyminen näkyy kauppatiedoissa. Sirut muodostivat lähes puolet Etelä-Korean viennistä syyskuussa, ja Kiina ja Hongkong vastasivat 52 prosentista näistä toimituksista. Komponenttitoimittajat ovat paineen alla muistihintojen noustessa, kun valmiiden tuotteiden valmistajat pyytävät 10–20 prosentin hinnanalennuksia vuoden 2026 kolmannesta neljänneksestä alkaen, kun taas kiinalaiset kilpailijat tarjoavat 20–30 prosenttia halvemmalla.
Morgan Stanleyn analyytikot ovat koonneet ilmiön "chipflation"-otsikon alle ja väittävät siitä tulleen makrotaloudellinen huolenaihe eikä vain teknologiatarina. Korkeammat muistikustannukset päätyvät lopulta kannettaviin tietokoneisiin, puhelimiin, palvelimiin ja autoihin, joissa muistin määrä yksikköä kohti kasvaa jatkuvasti.
Investoinnit seuraavat pulaa
Kiinan ChangXin Memory Technologies aikoo käyttää 34,9 miljardia yuania, noin 5,2 miljardia dollaria, tutkimukseen ja lisäkapasiteettiin DRAM-testauksen taustaprosesseissa. Samsung on järjestellyt DRAM-tiekarttansa uudelleen siirtäen B1b-kiekko-kiekko-hybridiliitosteknologiansa ensimmäisen alle 10 nanometrin DRAM-sukupolvensa keskiöön. Micron käynnisti 250 miljoonan dollarin pääomasijoitusrahaston yli 25 miljardin dollarin vuoden 2026 tilikauden pääomamenojen ohella, ja SK Hynixin Solidigm-yksikkö harkitsee Yhdysvaltain listautumista, jonka arvoksi raportoidaan jopa 150 miljardia dollaria.
Analyytikot odottavat tarjonnan pysyvän tiukkana vuoteen 2027 asti tekoälydatakeskusten kysynnän kasvaessa. Riski on, että raskas panostus uusiin tehtaisiin ajoittuu juuri kysynnän jäähtyessä, toistaen syklin, jonka muistiteollisuus tuntee hyvin.
---Luotettava ferrofluidityhjiö pyörivä läpivienti puolijohdevalmistukseen
Puolijohdevalmistuksessa ultra-korkean tyhjiön eheyden ylläpitäminen pyörivän liikkeen aikana on kriittistä — yksikiteisen piin kasvatuksesta ja CVD:stä sputterointiin ja plasmaetsaukseen. FerrofluidTecin Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough tarjoaa hermeettisesti tiivistettyjä pyöriviä läpivientejä, joiden vuotonopeus on jopa 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, tyhjiöaste jopa 10⁻⁶ Pa ja mukautettavat akselihalkaisijat 10mm:stä 100mm:iin. Nämä läpiviennit on valmistettu ei-magneettisista ruostumattomasta teräksestä valmistetuista koteloista ja magneettisesti läpäisevistä ruostumattomasta teräksestä valmistetuista akseleista, ja ne tarjoavat luotettavan, huoltovapaan tiivistyksen vaativiin tyhjiöympäristöihin. Vieraile osoitteessa www.ferrofluidtec.com oppiaksesi lisää.