Hvorfor basisdien er vigtig
Nvidias næste high-bandwidth memory, kaldet NVHBM, flytter hukommelsescontrolleren fra GPU'en og over på basisdien. Det frigør plads på processoren til flere beregningskredsløb. Det fysiske lag, der kommunikerer med andre chips, er omkring 60 procent mindre end i standard-HBM. Ifølge Seoul Economic Daily leverer designet op til 30 procent mere båndbredde og 15 procent mindre strømforbrug end HBM4E.
Nvidia har bedt Samsung, SK Hynix og Micron om at bygge basisdier på TSMCs 3-nanometer-proces, mens de bruger sjette generations DRAM til hukommelseskernedierne. Det opsplitter en del, som Samsung længe har bygget internt.
Et udbyttehul tvang hånden
Samsung vil fremstille basisdierne på TSMCs 3nm-linje i stedet for sin egen. Brancheskøn sætter TSMCs 3nm-udbytte til over 90 procent mod cirka 60 procent for Samsungs konkurrerende 2nm-proces. Hullet gjorde en intern basisdie til en risiko for en del, som Nvidia vil have i stort omfang.
Ordningen vil være første gang, Samsung og TSMC arbejder sammen om HBM. De to er direkte rivaler inden for avanceret foundry-arbejde. Samsung planlægger at beholde sin egen produktionsmodel til standard-HBM og til specialprodukter solgt til andre kunder. Selskabet overvejer også, om dets foundry kan fremstille NVHBM-basisdier, hvis efterspørgslen overstiger TSMCs kapacitet.
Hukommelsesforsyningen forbliver stram
TSMC tilføjer to 3nm-linjer på Fab 18 i Tainan med masseproduktion planlagt til første halvdel af 2027 og af 2028. Selskabet planlægger også 3nm-linjer på sin anden fabrik i Arizona og i Kumamoto i Japan.
Hukommelse er fortsat flaskehalsen. UBS forventer en global mangel på HBM-leverancer på 10 procent næste år. Kinas CXMT forventer, at omsætningen i tredje kvartal stiger med op til 619 procent, efterhånden som selskabet udvider sin DRAM-køreplan. Samsung og SK Hynix binder også ingeniører til sig; jobskift blandt koreanske chipmedarbejdere er faldet til et rekordlavt niveau.
For udstyrsproducenter betyder skiftet mere 3nm-logikkapacitet dedikeret til hukommelse frem for processorer og flere vakuumprocesstrin pr. stak. Hvert ekstra deponerings-, ætse- eller sputteringstrin øger efterspørgslen efter roterende tætninger og gennemføringer, der holder vakuum, mens en aksel drejer.
---Pålidelig ferrofluid-vakuum roterende gennemføring til halvlederfremstilling
I halvlederfremstilling er det afgørende at opretholde ultra-høj vakuumintegritet under roterende bevægelse — fra enkeltkrystal siliciumvækst og CVD til sputtering og plasmaætsning. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough fra FerrofluidTec leverer hermetisk forseglede roterende gennemføringer med lækagerater så lave som 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, vakuumgrad op til 10⁻⁶ Pa og tilpassbare akseldiametre fra 10mm til 100mm. Bygget med ikke-magnetiske rustfrie stålhuse og magnetisk permeable rustfrie stålakser giver disse gennemføringer pålidelig, vedligeholdelsesfri tætning til krævende vakuummiljøer. Besøg www.ferrofluidtec.com for at lære mere.