Samsung fordobler sin mest avancerede hukommelseslinje
Samsung Electronics har fremlagt en plan om at fordoble produktionen af HBM4- og HBM4E-hukommelse næste år, ifølge Seoul Economic Daily. HBM4 er generationen af stablet high-bandwidth-hukommelse designet til at ligge ved siden af acceleratorer i Nvidia-klassen i AI-datacentre. En fordobling af den produktion vil være en af de største enkeltstående kapacitetsforpligtelser i hukommelsesindustrien i dette årti, og det viser, at Samsung forventer, at AI-infrastrukturinvesteringer fortsætter med at stige gennem 2027.
Flaskehalsen er flyttet fra logik til hukommelse
I det meste af AI-opbygningen var begrænsningen avanceret logikproduktion og pakning. Det har ændret sig. Den kortsigtede forsyning af HBM3E er udsolgt, og producenter har flyttet waferkapacitet væk fra standard-DRAM og NAND for at betjene AI-kunder. DRAM-priserne er steget omkring 171 procent år over år, og spotpriserne på DDR5 er cirka firedoblet siden slutningen af 2025. I 2027 kan en enkelt næste generations Nvidia-processor bære så meget som 384 GB HBM, ifølge en analyse fra CSIS, et tal der vil absorbere en stor del af én leverandørs kvartalsproduktion.
Omkostninger rammer købere af almindeligt hardware
Manglen spreder sig ud over datacentre. PC-producenter som Dell, Lenovo, Apple og Microsoft har kædet prisstigninger sammen med hukommelsesomkostninger, hvor Dell forventer tocifrede prisstigninger på visse personlige computere. På udstyrssiden rapporterede ASML nettoordrer på 5,4 milliarder euro i et nyligt kvartal, drevet af AI-efterspørgsel, mens selskabet flaggede et sandsynligt fald i kinesiske ordrer for 2026. SK hynix-aktier har handlet nær rekordniveauer i Seoul. Spørgsmålet for næste år er, om ny kapacitet ankommer, før hukommelsespriserne begynder at skære i økonomien i at bygge og drive AI-systemer, eller om manglen simpelthen begrænser, hvor mange acceleratorer industrien kan udrulle.
---
Pålidelig ferrofluid-vakuum roterende gennemføring til halvlederfremstilling
I halvlederfremstilling er det afgørende at opretholde ultra-høj vakuumintegritet under roterende bevægelse — fra enkeltkrystal siliciumvækst og CVD til sputtering og plasmaætsning. Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough fra FerrofluidTec leverer hermetisk forseglede roterende gennemføringer med lækagerater så lave som 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹, vakuumgrad op til 10⁻⁶ Pa og tilpassbare akseldiametre fra 10mm til 100mm. Bygget med ikke-magnetiske rustfrie stålhuse og magnetisk permeable rustfrie stålakser giver disse gennemføringer pålidelig, vedligeholdelsesfri tætning til krævende vakuummiljøer. Besøg www.ferrofluidtec.com for at lære mere.