لماذا تهم القاعدة الأساسية
تنقل ذاكرة النطاق الترددي العالي القادمة من إنفيديا، المسماة NVHBM، وحدة التحكم في الذاكرة من وحدة معالجة الرسومات إلى القاعدة الأساسية. وهذا يحرر مساحة على المعالج لدوائر حوسبة أكثر. والطبقة الفيزيائية التي تتواصل مع الرقائق الأخرى أصغر بنحو 60% من HBM القياسية. ووفقاً لصحيفة سيول الاقتصادية، يوفر التصميم ما يصل إلى 30% نطاقاً ترددياً إضافياً و15% طاقة أقل من HBM4E.
وقد طلبت إنفيديا من سامسونغ وSK هاينكس وميكرون بناء القواعد الأساسية باستخدام عملية 3 نانومتر من TSMC مع استخدام ذاكرة DRAM من الجيل السادس لرقائق الذاكرة الأساسية. وهذا يقسّم جزءاً طالما صنعته سامسونغ داخلياً.
فجوة في الإنتاجية فرضت القرار
ستصنع سامسونغ القواعد الأساسية على خط 3 نانومتر من TSMC بدلاً من خطها. وتقدّر الصناعة إنتاجية TSMC عند 3 نانومتر بأكثر من 90%، مقابل نحو 60% لعملية 2 نانومتر المنافسة من سامسونغ. وقد جعلت الفجوة القاعدة الأساسية الداخلية مخاطرة لجزء تريده إنفيديا بكميات كبيرة.
وسيكون هذا الترتيب أول مرة تعمل فيها سامسونغ وTSMC معاً على HBM. والشركتان منافستان مباشرتان في أعمال التصنيع المتقدم. وتخطط سامسونغ للإبقاء على نموذج إنتاجها الخاص لـ HBM القياسية وللمنتجات المخصصة المباعة لعملاء آخرين. كما تراجع ما إذا كان مصنعها يمكنه صنع قواعد NVHBM الأساسية إذا تجاوز الطلب قدرة TSMC.
إمدادات الذاكرة تبقى ضيقة
تضيف TSMC خطي 3 نانومتر في مصنع 18 في تاينان، مع إنتاج ضخم متوقع في النصف الأول من 2027 والنصف الأول من 2028. وتخطط أيضاً لخطوط 3 نانومتر في مصنعها الثاني في أريزونا وفي كوماموتو باليابان.
وتبقى الذاكرة عنق الزجاجة. ويتوقع يو بي إس عجزاً عالمياً بنسبة 10% في إمدادات HBM العام المقبل. وتتوقع شركة CXMT الصينية أن ترتفع إيرادات الربع الثالث بنسبة تصل إلى 619% مع توسيع خارطة طريق DRAM لديها. كما تعمل سامسونغ وSK هاينكس على تثبيت المهندسين؛ فقد انخفض التنقل الوظيفي بين العاملين الكوريين في مجال الرقائق إلى أدنى مستوى قياسي.
وبالنسبة لمصنّعي المعدات، يعني التحول مزيداً من سعة المنطق عند 3 نانومتر المخصصة للذاكرة بدلاً من المعالجات، ومزيداً من خطوات المعالجة بالتفريغ لكل طبقة. وكل خطوة إضافية للترسيب أو الحفر أو الرش تضيف طلباً على الأختام الدوارة والوصلات التي تحافظ على التفريغ أثناء دوران العمود.
---وصلة تغذية دوارة فراغية بالموائع المغناطيسية موثوقة لتصنيع أشباه الموصلات
في تصنيع أشباه الموصلات، يعد الحفاظ على سلامة الفراغ الفائق أثناء الحركة الدورانية أمرًا بالغ الأهمية — من نمو السيليكون أحادي البلورة وCVD إلى الترذيذ والحفر بالبلازما. توفر Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough من FerrofluidTec وصلات تغذية دوارة محكمة الإغلاق بمعدلات تسرب تصل إلى 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹، ودرجة فراغ تصل إلى 10⁻⁶ Pa، وأقطار عمود قابلة للتخصيص من 10mm إلى 100mm. مصنوعة من أغلفة من الفولاذ المقاوم للصدأ غير المغناطيسي وأعمدة من الفولاذ المقاوم للصدأ ذات النفاذية المغناطيسية، توفر هذه الوصلات إغلاقًا موثوقًا وخاليًا من الصيانة لبيئات الفراغ الصعبة. قم بزيارة www.ferrofluidtec.com لمعرفة المزيد.