سامسونج تضاعف خط ذاكرتها الأكثر تقدماً
وضعت سامسونج إلكترونيكس خطة لمضاعفة إنتاج ذاكرة HBM4 وHBM4E العام المقبل، وفقاً لصحيفة سول الاقتصادية. وHBM4 هو جيل الذاكرة عالية النطاق الترددي المكدسة المصممة لتوضع إلى جانب مسرّعات من فئة إنفيديا في مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي. ومضاعفة هذا الإنتاج ستكون واحداً من أكبر التزامات الطاقة الإنتاجية المنفردة في صناعة الذاكرة هذا العقد، وتُظهر أن سامسونج تتوقع استمرار ارتفاع الإنفاق على البنية التحتية للذكاء الاصطناعي حتى 2027.
عنق الزجاجة انتقل من المنطق إلى الذاكرة
طوال معظم بناء الذكاء الاصطناعي، كان القيد هو تصنيع المنطق المتقدم والتغليف. وقد تغير ذلك. فالمعروض قصير الأجل من HBM3E بيع بالكامل، وحوّل المصنعون طاقة الرقائق بعيداً عن ذاكرة DRAM وNAND العادية لخدمة عملاء الذكاء الاصطناعي. وارتفعت أسعار DRAM بنحو 171 في المائة على أساس سنوي، وتضاعفت أسعار DDR5 الفورية نحو أربع مرات منذ أواخر 2025. وبحلول 2027، قد يحمل معالج إنفيديا واحد من الجيل المقبل ما يصل إلى 384 غيغابايت من HBM، وفقاً لتحليل مركز CSIS، وهو رقم سيستوعب حصة كبيرة من الإنتاج الفصلي لمورد واحد.
التكاليف تصل إلى مشتري الأجهزة العادية
يتسع النقص ليتجاوز مراكز البيانات. فقد ربط مصنعو الحواسيب الشخصية بمن فيهم ديل ولينوفو وأبل ومايكروسوفت زيادات الأسعار بتكاليف الذاكرة، مع توقع ديل ارتفاعات بأسعار مزدوجة الرقم لبعض الحواسيب الشخصية. وعلى جانب المعدات، أعلنت ASML عن طلبات صافية بقيمة 5.4 مليار يورو في ربع سنوي حديث، مدفوعة بطلب الذكاء الاصطناعي، مع تحذيرها من انخفاض محتمل في الطلبات الصينية لعام 2026. وتداولت أسهم SK hynix قرب مستويات قياسية في سول. والسؤال للعام المقبل هو ما إذا كانت الطاقة الإنتاجية الجديدة ستصل قبل أن تبدأ أسعار الذاكرة في تقليص جدوى بناء وتشغيل أنظمة الذكاء الاصطناعي، أم أن النقص سيقيد ببساطة عدد المسرّعات التي يمكن للصناعة نشرها.
---وصلة تغذية دوارة فراغية بالموائع المغناطيسية موثوقة لتصنيع أشباه الموصلات
في تصنيع أشباه الموصلات، يعد الحفاظ على سلامة الفراغ الفائق أثناء الحركة الدورانية أمرًا بالغ الأهمية — من نمو السيليكون أحادي البلورة وCVD إلى الترذيذ والحفر بالبلازما. توفر Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough من FerrofluidTec وصلات تغذية دوارة محكمة الإغلاق بمعدلات تسرب تصل إلى 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹، ودرجة فراغ تصل إلى 10⁻⁶ Pa، وأقطار عمود قابلة للتخصيص من 10mm إلى 100mm. مصنوعة من أغلفة من الفولاذ المقاوم للصدأ غير المغناطيسي وأعمدة من الفولاذ المقاوم للصدأ ذات النفاذية المغناطيسية، توفر هذه الوصلات إغلاقًا موثوقًا وخاليًا من الصيانة لبيئات الفراغ الصعبة. قم بزيارة www.ferrofluidtec.com لمعرفة المزيد.